,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,2019/9/20,#,集成电路简要介绍,集成电路简要介绍,1,一、集成电路定义,二、,集成电路,特点,三、,集成电路,发展,四、,集成电路,分类,五、,集成电路,封装技术,一、集成电路定义,2,一、集成电路定义,集成电路（,Integrated Circuit,简称,IC,）是,20,世纪,60,年,代初期发展起来的一种,新型,半导体,器件,。把,构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部,集成,在一小块硅片上，然后焊接,封装,在一个管壳内的电子器件,。,一、集成电路定义集成电路（Integrated Circu,3,二、集成电路特点,集成电路具有,体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产,。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到,广泛的应用,。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的,稳定,工作,时间,也,可大大提高。,二、集成电路特点集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点,4,三、集成电路发展,1952,年,5,月，英国科学家达默第一次提出了集成电路的设想。,1958,年以德克萨斯仪器公司的科学家基尔比为首的研究小组研制出了世界上第一块集成电路,第,一块集成电路：,TI,公司的,Kilby12,个器件，,Ge,晶片,获得,2000,年,Nobel,物理奖,三、集成电路发展1952年5月，英国科学家达默第一次提出了集,5,三、集成电路发展,1959,年 美国仙童,/,飞兆公司（,Fairchilds,）的,R.Noicy,诺依斯开发出用于,IC,的,Si,平面工艺技术，从而推动了,IC,制造业的大发展。,1959,年,仙童公司制造的,IC,诺,伊斯,三、集成电路发展1959年 美国仙童/飞兆公司（Fairc,6,三、集成电路发展,第一阶段：,1962,年制造出集成了,12,个晶体管的,小规模,集成电路（,SSI,）芯片。,第二阶段：,1966,年制造出集成度为,100,1000,个晶体管的,中规模,集成电路（,MSI,）芯片。,第三阶段：,1967,1973,年，制造出集成度为,1000,100 000,个晶体管的,大规模,集成电路（,LSI,）芯片。,第四阶段：,1977,年研制出在,30mm2,的硅晶片上集成了,15,万个晶体管的,超大规模,集成电路（,VLSI,）芯片。,第五阶段：,1993,年制造出集成了,1000,万个晶体管的,16MB FLASH,与,256MB DRAM,的,特大规模,集成电路（,ULSI,）芯片。,第六阶段：,1994,年制造出集成了,1,亿个晶体管的,1GB DRAM,巨大规模,集成电路（,GSI,）芯片。,三、集成电路发展第一阶段：1962年制造出集成了12个晶体,7,三、集成电路发展,摩尔,定律：,集成电路,的集成度每,18,个,月,就翻一番，特征尺寸每,3,年,缩小,1/2,。,戈登,摩尔先生,三、集成电路发展摩尔定律：戈登摩尔先生,8,四、集成电路分类,1,、按功能结构分类,：,模拟,集成电路、,数字,集成电路,和数,/,模混合集成电路,2,、按制作工艺分类：半导体集成电路和膜集成电路。膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。,3,、按导电类型不同分类：双极型集成电路和单极型集成电路，他们都是数字集成电路,。,四、集成电路分类1、按功能结构分类：模拟集成电路、数字集成,9,四、集成电路分类,4,、按集成度高低分类：,SSIC,小规模集成电路,(Small Scale Integrated circuits),MSIC,中规模集成电路,(Medium Scale Integrated circuits),LSIC,大规模集成电路,(Large Scale Integrated circuits),VLSIC,超大规模集成电路,(Very Large Scale Integrated circuits),四、集成电路分类4、按集成度高低分类：,10,五、集成电路封装技术,封装技术是一种将集成电路打包的,技术,。,是,微电子器件的两个基本组成部分之一：,微电子器件,：,芯片（管芯）,+,封装（外壳,）,五、集成电路封装技术封装技术是一种将集成电路打包的技术。是微,11,五、集成电路封装技术,封装作用：,电功能：传递芯片的电信号,机械化学保护功能：保护芯片与引线,散热功能：散发芯片内产生的热量,防潮,抗辐照,防电磁干扰,五、集成电路封装技术封装作用：,12,五、集成电路封装技术,1,BGA,球栅阵列封装,2,CSP,芯片缩放式封装,3,COB,板上芯片贴装,4,COC,瓷质基板上芯片贴装,5,MCM,多芯片模型贴装,6,LCC,无引线片式载体,7,CFP,陶瓷扁平封装,8,PQFP,塑料四边引线封装,9,SOJ,塑料,J,形线封装,10,SOP,小外形外壳封装,11,TQFP,扁平簿片方形封装,12,TSOP,微型簿片式封装,13,CBGA,陶瓷焊球阵列封装,14,CPGA,陶瓷针栅阵列封装,15,CQFP,陶瓷四边引线扁平,16,CERDIP,陶瓷熔封双列,17,PBGA,塑料焊球阵列封装,18,SSOP,窄间距小外型塑封,19,WLCSP,晶圆片级芯片规模封装,20,FCOB,板上倒装片,五、集成电路封装技术1BGA 球栅阵列封装11TQFP,13,五、集成电路封装技术,1,、直插式,2,、表面贴装式,3,、芯片尺寸封装,4,、发展趋势,五、集成电路封装技术1、直插式,14,5.1,直,插式,To,封装：,DIP,封装,5.1 直插式To封装：DIP封装,15,5.1,直插式,DIP,封装特点,：,(,1),适合,PCB,的穿孔安装，操作方便,；,(,2),比,TO,型封装易于对,PCB,布线；,(,3),芯片面积与,封装,面积之间的比值较大，故体积也较大,；,(4),外部,引脚容易在芯片的插拔过程当中损坏，不太适用于高可靠性场合,；,(,5)DIP,封装还有一个致命的缺陷，那就是它只适用于引脚数目小于,100,的中小规模集成电路。,5.1 直插式DIP封装特点：,16,5.1,直,插式,衡量,一个芯片封装技术先进与否的重要指标是,芯片面积与封装面积之,比,R,，,这个比值越接近,l,越好,。,以,采用,40,根,I/O,引脚塑料双列直插式封装,(PDIP),的,CPU,为例，其芯片面积,/,封装,面积,R=,（,33,）,/,（,15,.,2450,）,=,1,:,86,，离,l,相差很远。这种封装尺寸远比芯片大，说明封装效率很低，占去了很多有效安装面积。,5.1 直插式 衡量一个芯片封装技术先进与否的,17,5.2,表面,贴装式,QFP,封装,TSOP,封装,5.2 表面贴装式QFP封装TSOP封装,18,5.2,表面贴装式,QFP,的特点是：,(,1),用,SMT,表面安装技术在,PCB,上安装布线，操作方便,；,(,2),封装外形尺寸小，寄生参数减小，适合高频应用,；,(,3),可靠性高,。,(4,),引脚,从直插式改为了欧翘状，引脚间距可以更密，引脚可以更细,。,(5)QFP,的引脚间距目前已从,1.27 mm,发展到了,0.3,mm,，也是他的极限距离,，限制了组装密度的,提高。,5.2 表面贴装式QFP的特点是：,19,5.2,表面贴装式,以,0.5mm,焊区中心距、,208,根,I/O,引脚,QFP,封装的,CPU,为例，如果外形尺寸为,28mm28mm,，芯片尺寸为,lOmm10mm,，则芯片面积封装,面积,R=(,10,10,),(28,28,)=l,:,7.8,，由此可见,QFP,封装比,DIP,封装的尺寸大大减小。,5.2 表面贴装式,20,5.3,芯片尺寸封装,双列直插式封装（,DIP,）的裸芯片面积与封装面积之比为,1:80,表面贴装技术,SMT,中的,QFP,为,1:7,，,CSP,小于,1:1.2,5.3 芯片尺寸封装双列直插式封装（DIP）的裸芯片面积与封,21,IC,芯片,引线架,导线丝,铝膜,外引线,封装树脂,塑料基板,塑料封装,DIP,工艺,导电粘胶,5.3,芯片尺寸封装,IC芯片引线架导线丝铝膜外引线封装树脂塑料基板塑料封装DIP,22,集成电路介绍ppt课件,23,焊料微球凸点,IC,芯片,CSP,5.3,芯片尺寸封装,焊料微球凸点IC芯片CSP5.3 芯片尺寸封装,24,CSP,封装具有以下特点：,(,1),满足了,LSI,芯片引出脚不断增加的需要,；,(,2),解决丁,IC,裸芯片不能进行交流参数测试和老化筛选的问题；,(,3),封装面积,缩小，,延迟时间大大缩小。,5.3,芯片尺寸封装,CSP封装具有以下特点：5.3 芯片尺寸封装,25,5.3,发展趋势,1,、,MCM,封装,2,、三维封装,5.3 发展趋势1、MCM封装,26,1,、,MCM,组装,Multi chip module,芯片,封装体,芯片,封装外壳,印制板,单芯片封装电路板,多芯片封装电路板,可大幅度减小封体积,1、MCM组装Multi chip module芯片封装体芯,27,IC,芯片,内引线,封装树脂,印制板,绝缘胶,焊料微球,2,、,三维封装,IC芯片内引线封装树脂印制板绝缘胶焊料微球2、三维封装,28,