单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,*,简 介,半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP或NPN构造。中间的N区或P区叫基区，两边的区域叫放射区和集电区，这三局部各有一条电极引线，分别叫基极B、放射极E和集电极C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。,工作原理,晶体三极管以下简称三极管按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种构造形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，其中，N表示在高纯度硅中参加磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是参加硼取代硅，产生大量空穴利于导电。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是一样的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，放射区与基区之间形成的PN结称为放射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为放射极e、基极b和集电极c。,三极管的构造,以下图是NPN型三极管的示意图。它是由两个 PN结的三层半导体制成的。中间是一块很薄的P型半导体(几微米几十微米)，两边各为一块N型半导体。从三块半导体上各自接出的一根引线就是三极管的三个电极，它们分别叫做放射极e、基极b和集电极c，对应的每块半导体称为放射区、,基区和集电区虽然放射区和集电区都是N型半导体，但是放射区比集电区掺的杂质多。在几何尺寸上，集电区的面积比放射区的大，这从图中也可看到，因此它们并不是对称的。,三极管的封装,三极管的检测,1中、小功率三极管的检测A型号和管脚排列的三极管，可按下述方法来推断其性能好坏(a)测量极间电阻。将万用表置于R100或R1K挡，依据红、黑表笔的六种不同接法进展测试。其中，放射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。(b)三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数和集电结的反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的上升而增长很快，ICBO的增加必定造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。,三极管的主要参数,一、电流放大系数(1)共放射极直流电流放大系数,(2)共放射极沟通电流放大系数,三极管的太小时，放大作用差；太大时，工作性能不稳定。因此，一般选用沟通电流放大系数为3080的管子。,二、频率参数,1共射极截止频率f三极管的值是频率的函数，中频段=o几乎与频率无关，但是随着频率的增高，值下降。当值下降到中频段O1 倍时，所对应的频率，称为共射极截止频率，用f表示。2特征频率fT当三极管的值下降到1时所对应的频率，称为特征频率。在ffT的范围内，值与f几乎成线性关系，f越高，越小，当工作频率ffT，时，三极管便失去了放大力量。,精品课件,！,精品课件,！,三、极限参数,1最大允许集电极耗散功率PCM PCM 是指三极管集电结受热而引起晶体管参数的变化不超过所规定的允许值时，集电极耗散的最大功率。当实际功耗Pc大于PCM时，不仅使管子的参数发生变化，甚至还会烧坏管子。PCM可由下式计算：PCM ICUCE,2最大允许集电极电流ICM当IC很大时，值渐渐下降。一般规定在值下降到额定值的23或12时所对应的集电极电流为ICM当ICICM时，值已减小到不有用的程度，且有烧毁管子的可能。,