单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,#,12V/250,单输出正激式变换器设计,导师：,答辩人：,答辩时间：,论文框架,研究背景,课题方向,论文要点,结论,1,2,3,4,研究背景,电源是各种电气设备不可或缺的组成部分,开关电源效率高、体积小、安全可靠,提高开关电源的功率密度，使之小型化、轻量化，是人们不断努力追求的目标。,电源的高频化是国际电力电子界研究的热点之一。,课题方向,本课题主要针对多媒体计算机电源进行研究，即,12V/250W,正激式变换器。,论文要点,正激式变换器简述,按设计指标要求完成对,12V/250W,正激式变换器的电路设计。,电路中所用器件的参数计算。,对整体电路进行仿真分析。,正激式变换器的原理图,正激式变换器工作原理概括,主功率开关管与变压器副边整流管的开通时间相同：当前者导通时后者也导通，当前者截止时后者也截止。,12V250W,单输出正激式变换器的技术指标,输出电流,Iout,在,10m,内从,10A,变化到,20A,的情况下，最大,MOSFET,降额因子,二极管降额因子,计算所需的变压器匝数比,给定最大占空比为,45%,，效率为,90%,，基于经验公式，可写出：,从上式求匝数比，得到：,MOSFET,选择,MOSFET,的选择基于最大输入电压和降额因子,(kd=0.85),。如果选择耐压为,500V,的器件,(,在双开关反激式变换器中，晶体管应力受输入电压限制,),，最大输入电压必须限制在：,在浏览了多个制造商网站后，选择,International Rectifier,公司制造的,IRFB16N50KPBF,型,MOSFET,。该器件的技术指标如下：,IRFB16N50KPBF,TO220AB,的情况下，,缓冲器安装,如果在,MOSFET,漏源两端安装缓冲器，可以使漏源电压上升稍作延迟。结果，电压和电流交叠区域面积会稍有减小。如在交叠期间忽略,R,和,D,，则,C,直接连接于,MOSFET,的漏源两端。,RCD,缓冲器有助于减小截止损耗。,带缓冲器电容的电路截止期间的波形,二极管选择,原边续流二极管的选择与变压器磁化电感有关。通常，在离线应用中，电流值保持足够低以适应,1A,二极管。,在本应用中，,MUR160,型二极管可满足要求。,在正激式变换器中，两个副边二极管的峰值反向电压,(PIV),类似,。,通过计算我们得到,PIV=34V,。,那么本应用中副边二极管可使用反向耐压为,100V,的肖特基二极管。,最终变换器电路,含功率,MOSFET,模型的最后仿真电路,瞬态仿真结果,瞬态仿真结果,结论,随着多媒体电子计算机设备的应用越来越广泛，也要求能够提供稳定的电源。本论文就,12V/250W,单输出正激式变换器的工作原理作了分析，计算了变压器的匝数比、开关器件的参数，就开关器件的选择、电路图的设计、以及电路图的仿真、测试、分析等作了一定的研究。完成了对于该开关电源的设计,。,谢谢大家,