单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,*,MOS管型号知识培训,一、型号命名规则,二、基础知识,三、主要参数,四、其它表贴,MOS,管,五、高压,MOS,与酷,MOS,MOS管型号知识培训一、型号命名规则,1,型号命名规则,1,、突出桂微品牌,2,、力争与知名品牌兼容,3,、自主型号规律,4,、极性规律,5,、印字规律,型号命名规则1、突出桂微品牌,2,具体规则,所有型号以GM开头,用最多4位数字区分具体极性和参数,借用其他公司数字代码,第1位数字乘10基本表示击穿电压数量级,第2位或第2加第3位基本表示电流数量级,后两位数字基本表示电阻范围或序号，序号越大电流越大（电阻越小）,单数代表P沟道/双数代表N沟道时省略极性字母,具体规则所有型号以GM开头,3,具体规则（续）,如果不满足单双数规律时在GM后或型号最后增加代表极性的P或N,型号最后的字母除代表极性外A/B/C/D还代表电流或电阻的细分档，E代表防静电保护,印字中的A/B/C/D/E/I等分别代表击穿电压等级为20V/30V/40V/50V/60V/100V等,印字后数字基本与型号后1到2位数字对应,桂微自主型号印字直接用型号上的全部数字,具体规则（续）如果不满足单双数规律时在GM后或型号最后增加代,4,基础知识,1、MOS,概念,2、极性知识,3、工作状态,4、带ESD静电保护区别,基础知识1、MOS概念,5,MOS概念,MOSMetal Oxid Semiconductor,金属 氧化物 半导体,FETField Effect Transistor,场效应晶体管,Gate栅极基极B,Drain漏极集电极C,Source源极发射极E,MOS概念MOSMetal Oxid Semicondu,6,极性知识,P沟道加负电源，负开启电压,N沟道加正电源，正开启电压,体二极管（寄生）续流二极管,单一极性载流子参与导电单极型晶体管（三极管，二极管双极型晶体管）,无复合效应开关速度快,电荷密试低（Low Qg）开关功耗低,极性知识P沟道加负电源，负开启电压,7,极性知识（图）,极性知识（图）,8,工作状态,垂直导电（VDMOS）,元胞结构并联导电,栅极沟槽（TrenchMOS）缩小元胞间距，减小芯片面积,MOS管不工作时，由外延层承担击穿电压（体二极管反压）,MOS管工作时存在导通电阻,R,DS（ON）,=R,CH,+R,EPI,+R,SUB,工作状态垂直导电（VDMOS）,9,工作状态（图）,工作状态（图）,10,ESD保护,栅源静电吸收电路（一级或多级）,I,GSS,会增大（VGS100nA_10uA),V,TH,略低,相同芯片面积时R,DS,略大,相同R,DS,（I,D,）成本略高,ESD保护栅源静电吸收电路（一级或多级）,11,ESD保护（图）,ESD保护（图）,12,主要参数,1、BV,DSS,击穿电压,MOS管不工作（导通）时漏源之间所能承受的最高电压,2、V,GS（TH）,开启电压,为了使MOS管开始工作（导通）栅源之间要加的最小电压,3、R,DS（ON）,导通电阻,在不同栅极电压下，MOS管导通时漏源之间的电阻,饱和压降,主要参数1、BVDSS击穿电压,13,其它表贴MOS管,所有型号以GM开头,SOT-26，TSSOP8，SOP-8，DFN8等型号用最多4位数字区分具体极性和参数,借用其他公司数字代码,第3个字母W代表TO-252封装,接下来的1到2位数字代表电流,接下来的字母P或N代表极性,最后的数字乘10表示击穿电压,其它表贴MOS管所有型号以GM开头,14,高压MOS与酷MOS,所有型号以GM开头,第3个字母P代表TO-220封装，F代表TO-220F封装，D代表TO-251封装，T代表TO-92封装,接下来的1到2位数字代表电流,接下来的字母P或N代表极性,最后的数字或直接或乘10表示击穿电压,酷MOS第4和5位数字乘10表示击穿电压，接下来的R和数字表示导通电阻,技术支持,QQ:280322039,高压MOS与酷MOS所有型号以GM开头,15,