单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,真空导电电镀介绍,EMI,1,EMI镀膜,主要分类有两大种类：蒸发沉积镀膜和溅射沉积镀膜,具体则包括很多种类,包括真空离子蒸发,磁控溅射,MBE分子束外延,溶胶凝胶法等等,2,蒸发镀膜,一般是加热靶材使外表组分以原子团或离子形式被蒸发出来,并且沉降在基片外表,通过成膜过程（散点岛状结构-迷走结构-层状生长）形成薄膜。厚度均匀性主要取决于：1、基片材料与靶材的晶格匹配程度 2、基片外表温度 3、蒸发功率,速率 4、真空度 5、镀膜时间,厚度大小。组分均匀性：蒸发镀膜组分均匀性不是很容易保证,具体可以调控的因素同上,但是由于原理所限,对于非单一组分镀膜,蒸发镀膜的组分均匀性不好。晶向均匀性：1、晶格匹配度 2、基片温度 3、蒸发速率,3,溅射类镀膜,利用电子或高能激光轰击靶材,并使外表组分以原子团或离子形式被溅射出来,并且最终沉积在基片外表,经历成膜过程,最终形成薄膜,4,Ar,基板,Pump,抽真空,靶材(Ni,),電極,Ar,+,Ar,Ar,Ar,Ar,Ar,1.真空中通入氬氣(,Ar)，,含有,微量的氬離子(,Ar,+,)。,8.假设氬氣持續通入,則電漿持,續產生。,濺 鍍 原 理,電源供應器,2.,於電極板加負高壓電。,3.帶正電的氬離子,(,Ar,+,),被負,高壓電吸引。,Al,e,-,4.,Ar,+,撞擊靶材產生電子(,e,-,),及轟擊出镍原子(N,l)。,Ar,+,e,-,e,-,5.e,-,撞擊,Ar Ar,+,+e,-,+e,-,。,Al,6.,鋁原子沉積在素材基板上。,7.,Ar,+,重複 3.6.。,5,鍍膜參數介紹,氣體壓力,製程氣體通量,鍍膜功率,鍍膜時間,使用靶數,T/S(Target/Substrate),距離,6,氣 體 壓 力,(一),壓力低 腔體內部氣體粒子少,撞擊靶材的,Ar,+,變少,壓力高 腔體內部氣體粒子多,Ar,+,變多,Ar,+,到達靶材前碰撞其他粒子機率變大,靶原子到達基板前與氣體碰撞的機率變大,Ar,低真空鍍膜,Al,Al,Ar,+,Ar,+,Ar,+,Al,Ar,高真空鍍膜,Ar,+,Al,Al,Al,Ar,+,7,氣 體 壓 力,(二),常用的濺鍍壓力,10,-3,10,-2,Torr,(110,m,Torr,),粗略真空,中度真空,高真空,超高真空,壓力(,Torr),760 1,1 10,-3,10,-3,10,-7,10,-7,平均自由徑,(cm),10,-2,10,-2,10,10 10,5,10,5,8,製 程 氣 體 通 量,1.通入太少 無法維持電漿,2.通入太多 未參與碰撞之,Ar,變成殘餘氣體,增加,pump,之負荷,與靶原子一起沉積在基板上的,機率變大,3.須視鍍膜壓力來設定通入量,9,1.高功率,單一離子所擊出的靶原子較多,可縮短鍍膜時間,瞬間產生的熱較多,2.低功率,單一離子所擊出的靶原子較少,會延長鍍膜時間,鍍膜溫度較低,鍍 膜 功 率,10,功率-時間-靶數之關係,鍍膜厚度的直接影响參數,可利用功率時間靶數之乘積變換不同參數鍍相同膜厚,例如：,8KW 2S 3靶 8KW 3S 2靶,低功率時,鍍膜速率與功率非呈線性,例如：,8KW 2S 3靶4KW 4S 3靶2KW 8S 3靶,11,T,/,S,距 離,1.靶材到基板距離,2.,T,/,S,短可增加鍍膜率,但基板受熱亦增加,3.,T,/,S,太長,則沉積的靶原子與其他粒子碰撞機率增大,鍍膜速率降低,基板受熱降低,12,13,EMI,生产工艺流程,14,治具设计及成型的要求,1.EMI治具要求,密封严实,所有需遮镀位置配合尺度为0对0,以免造成产品多镀,飞油。,2.EMI治具死角位置设计要求有倒角,防止因角度过小镀膜层过薄而导致电阻偏高。,3.成型原料要求为一次性PC水口料,因蒸渡时,炉内温度约为300oC,要求具有一定耐高温性,防止变形,保证治具量产中品质,严禁有拉膜治具流入,残留胶丝/毛边须修整平齐、不允许有变形及明显的缩水现象、水口位须修剪平整,不可高于水口平台、治具外表上不允许有油污。,4.所有治具设计外观面不得出现有加强筋。如图。,5.产品、治具装配大面积接触面要注意保证省模平整度。,死角位置注意倒角,保证电阻,治具外观面不得出现有此类加强筋,15,对素材要求,检验条件,1检验应在40Wx2日光灯下12m距离内,目视距离为20-30cm,目测产品外表时间在8-10秒钟。,2检验员视线与产品外表角度在45度至90度范围内旋转。,16,THE END!,祝各位工作愉快!,17,