,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,3.1.1 结构与符号,3.1.2 工作原理,3.1.3 特性曲线,3.1.4 参数,3.1.5 型号,3.1.6 基本要求,Bipolar Junction Transistor(BJT),03,半导体三极管及放大电路基础,3.1 半导体三极管,3.1.1 结构与符号Bipolar Junction Tr,三极管图片,三极管图片,3.1.1 结构与符号(,Structures and Circuit Symbol,),两种:,NPN,PNP,一、结构,e,(,Emitter)：,发射极,b,(,Base）：,基极,c,(,Collector)：,集电极,发射结(,Je),集电结(,Jc),基区,发射区,集电区,三极:,三区:,两节:,特点:,b,区薄,e,区掺杂多,c,区面积大,e,b,c,Je,Jc,3.1.1 结构与符号(Structures and Cir,二、符号,*,Je,箭头:,P N,二、符号*Je箭头:P N,3.1.2,工作原理(,Transistor,Operation,),一、放大条件,二、内部,载流子传输过程,三、电流分配关系,四、放大作用,3.1.2 工作原理(Transistor Operati,外部,条件？,一、放大条件,内部,条件：,三区结构与掺杂,Je,正偏,，,Jc,反偏。,电位关系：,NPN,：,V,C,V,B,V,E,PNP,：,V,C,V,B,V,E,外部条件？一、放大条件内部条件：Je正偏，电位关系：,集电区,发射区,基区,Je,Jc,I,B,(,1,),(,2,),(,3,),I,E,I,C,扩散,漂移,正,偏,反偏,复合,二、内部,载流子传输过程,忽略支流：,I,E,=,I,C,+,I,B,集电区发射区基区JeJcIB(1)(2)(3)IEIC扩散漂,另有,支流：,I,EP,、,I,CBO,三、电流分配关系(,Current Relationship,),I,E,=,I,C,+,I,B,另有支流：IEP、ICBO 三、电流分配关系(Curr,四、放大作用,三种组态电路(,C,ommon),应用：,共射,电压放大,电流放大(,控制,）,(,C,ommon,E,mitter Circuit),四、放大作用三种组态电路(Common)应用：共射电压放大,问题1：若两个,PN,结对接，三极管有无,电流放大作用。,问题2：当温度升高时，三极管,将失去放大作用。为什么？,问题1：若两个PN结对接，三极管有无问题2：当温度升高时，三,3.1.3 特性曲线,输入特性曲线,i,B,=,f,(,v,BE,),v,CE,=const,输出特性曲线,i,C,=,f,(,v,CE,),i,B,=const,共射接法,共射接法的电压-电流关系,3.1.3 特性曲线 输入特性曲线 iB=f(vB,(1)输入特性曲线,方程,：,i,B,=,f,(,v,BE,),v,CE,=const,曲线?,(1)输入特性曲线方程：曲线?,(2)输出特性曲线,方程,：,i,C,=,f,(,v,CE,),i,B,=const,曲线?,饱和区,放大区,截止区,发射结,集电结,正偏 正偏,正偏 反偏,反偏 反偏,三区偏置特点：,开,off,关,on,线性,特性,(2)输出特性曲线方程：曲线?饱和区发射结集电结 正偏,例1,：测量三极管三个电极对地电位如图,试判断三极管的工作状态。,放大,截止,饱和,例1：测量三极管三个电极对地电位如图 放大截止饱和,3.1.4,参数,分为三大类:,(1)直流参数,电流放大系数,1.共射,I,C,/,I,B,v,CE,=const,直流参数,交流参数,极限参数,2.共基 ,关系,=,I,C,/,I,E,=,I,B,/,1+,I,B,=/,1+,，,或,=,/,1,-,I,C,/,I,E,V,CB,=const,3.1.4 参数 (1)直流参数IC/IB v,1.,I,CBO,O,(,Open),关系：,I,CEO,=（1+）,I,CBO,2.,I,CEO,（,穿透电流）,极间反向饱和电流（温度稳定性）,1.ICBO O(Open)关系：2.ICEO（,(2)交流参数,交流电流放大系数,1.共射,=,I,C,/,I,B,v,CE,=const,2.共基,=,I,C,/,I,E,V,CB,=const,特征频率,f,T,当,下降到1时所对应的频率,当,I,CBO,和,I,CEO,很小时，,，,(2)交流参数 特征频率fT当ICBO和ICEO,(3)极限参数,I,CM,I,C,上升时,会,下降。,下降到放大区,值的70时所允许的电流,。,P,CM,超过此值会使管子性能变坏或烧毁。,P,CM,=,I,C,V,CB,I,C,V,CE,(3)极限参数 ICM IC上升时 会下降,1.,V,(BR)CB,O,E,极开路时的,集电结击穿电压。,2.,V,(BR)EB,O,类上,3.,V,(BR)CE,O,关系：,V,(BR)CBO,V,(BR)CEO,V,(BR)EBO,反向击穿电压（,V,(BR),XX,O,）,1.V(BR)CBO2.V(BR)EBO,3.1.5 半导体三极管的型号,国家标准对半导体三极管的命名如下:,3,D,G,110,B,第二位：,A,锗,PNP,管、,B,锗,NPN,管、,C,硅,PNP,管、,D,硅,NPN,管,第三位：,X,低频小功率管、,D,低频大功率管、,G,高频小功率管、,A,高频大功率管、,K,开关管,用字母表示材料,用字母表示器件的种类,用数字表示同种器件型号的序号,用字母表示同一型号中的不同规格,三极管,3.1.5 半导体三极管的型号国家标准对半导体三极管的命名,表02.01 双极型三极管的参数,参,数,型,号,P,C,M,mW,I,C,M,mA,VR,CBO,V,VR,CEO,V,VR,EBO,V,I,C,BO,A,f,T,MHz,3,AX31D,125,125,20,12,6,*,8,3,BX31C,125,125,40,24,6,*,8,3,CG101C,100,30,45,0.1,100,3,DG123C,500,50,40,30,0.35,3,DD101D,5,W,5,A,300,250,4,2,mA,3,DK100B,100,30,25,15,0.1,300,3,DKG23,250,W,30,A,400,325,8,注：*为,f,表02.01 双极型三极管的参数,1.熟练,掌握,器件,（三极管）,的,外特性、主要参数,。,1.正确理解双极型三极管的工作原理。,3.会查阅电子器件手册。,3.1.6,基本要求,THE END,3.1.6 基本要求THE END,