,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,#,一,.P-N,结合,(1),(2),但若将数片,P,或,N,型半导体加以适当的组合，则会产生各种不同的物理特性，而使半导体零件的功能更多彩多姿。今天我们要先看看把一块,P,型半导体与,N,型半导体结合起来的情况。,PN,结工作原理,P,型,N,型,(3),当一块,P,型半导体与,N,型半导体结合起来时（,P,型掺杂硼是受主、,N,型掺杂磷是施主），如下图所示，由于,P,型半导体中有很多的电洞，而,N,型半导体中有许多电子，所以当,P-N,结合起来时，结合面附近的电子会填入电洞中，,P-N,结合起来时，如下图,a),所示。,或许你会以为,N,型半导体中的电子会不断的透过接合面与电洞结合，直到所有的电子或电洞 消失为止。事实上，靠近接合面的,N,型半导体失去了电子后就变成正离子，,P,型半导体失去了一些电洞后就变成负离子，如上图,(b),所示。,PN,结工作原理,此时正离子会排斥电洞，负离子会排斥电子，因而阻止了电子、电洞的继续结合，而产生平衡之状态。,(4),在,P-N,接合面,(P-Njunction),附近没有载体,(,电子或电洞,),，只有离子之区域称为空乏区,(depletioNregion),。,(5),空乏区的离子所产生的阻止电子、电洞通过接合面的力量，称为障碍电位,(potential barrier),。障碍电位视半导体的掺杂程度而定，一般而言，,Ge,的,P-N,接合面约为,0.20.3V,，而,Si,的,P-N,接合面约为,0.60.7V,。,二,.,正向偏压,(1),若把电池的正端接,P,型半导体，而把负端接,N,型半导体，如下图,PN,结工作原理,2),若外加电源,E,足够大而克服了障碍电位，则由于电池的正端具有吸引电子而排斥电洞的特性，电池的负端有吸引电洞而排斥电子之特性，因此,N,型半导体中的电子会越过,P-N,接合面而进入,P,型半导体与电洞结合，同时，电洞也会通过接合面而进入,N,型半导体内与电子结合，造成很大的电流通过,P-N,接合面。,(3),因为电池的负端不断的补充电子给,N,型半导体，电池的正端则不断的补充电洞给,P,型半导体，,(,实际上是电池的正端不断的吸出,P,型半导体中之电子，使,P,型半导体中不断产生电洞,),，所以通过,P-N,接合面的电流将持续不断。,(4)P-N,接合在加上正向偏压时，所通过之电流称为正向电流,(IF),。,PN,结工作原理,三,.,反向偏压,(1),现在如果我们把电池的正端接,N,而负端接,P,，则电子、电洞将受到,E,之吸引而远离接合面，空乏区增大，而不会有电子或电洞越过接合面产生接合，如下图所示，此种外加电压之方式称为反向偏压。,(2),当,P-N,接合面被加上反向偏压时，理想的情形应该没有反向电流,(Ir=0),才对，然而，由于温度的引响，热能在半导体中产生了少数的电子电洞对，而于半导体中有少数载体存在。在,P-N,接合面被接上反向偏压时，,N,型半导体中的少数电洞和,P,型半导体中的少数电子恰可以通过,P-N,接合面而结合，故实际的,P-N,接合再加上反向偏压时，会有一”极小”之电流存在。此电流称为漏电电流，在厂商的资料中多以,Ir,表之。,注,：在实际应用时多将,Ir,忽略,而不加以考虑。,PN,结工作原理,(3)Ir,与反向偏压之大小无关，却与温度有关。硅，每当温度升高,10,，,IR,就增加为原来的两倍。,四,.,崩溃,(Breakdown),(1),理想中，,P-N,接合加上反向偏压时，只流有一甚小且与电压无关之漏电电流,Ir.,。但是当我们不断把反向电压加大时，少数载体将获得足够的能量而撞击、破坏共价键，而产生大量的电子一对洞对。此新生产之对子及电洞可从大反向偏压中获得足够的能量去破坏其它共价键，这种过程不断重复的结果，反向电流将大量增加，此种现象称为击穿或崩溃。,(2)P-N,接合因被加上过大的反向电压而大量导电时，若不设法限制通过,P-N,接合之反向电流，则,P-N,接合将会烧毁。,击穿：隧道击穿（齐纳击穿），雪崩击穿,PN,结工作原理,