,*,*,单击此处编辑母版文本样式,第二级,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,单击此处编辑母版标题样式,*,单击此处编辑母版文本样式,第二级,单击此处编辑母版标题样式,*,单击此处编辑母版文本样式,第二级,单击此处编辑母版标题样式,*,11/20/2024,集成電路工業體系,原料產業,集成電路製造業,電子產品,矽石還原,反應純化,還原精製,多晶矽,長單晶,切片,研磨,拋光,磊晶,矽晶圓,氧化,光罩校準,蝕刻,雜質擴散,離子植入,化學氣相沉積,電極金屬蒸著,晶片檢查,晶片製造,資訊產品,消費性產品,通訊產品,其他,系統產品,製程服務,邏輯設計,電路設計,圖形設計,電路設計,製作光罩模,光罩製作,切割,置放,銲線,塑模,測試,晶片封裝,9/26/2023集成電路工業體系原料產業集成電路製造業電子,11/20/2024,Basic Structure of a Production Process,Deposition,(Oxidation,CVD,PVD),Photolithograpy,Doping,(Implantation,Diffusion),Structuring,(Dry etch/Wet etch),9/26/2023Basic Structure of a,11/20/2024,Wet Chemical Process,Process type,Number in the 64M production,Strippingabout 20,Etchingabout 15,Cleaningabout 30,9/26/2023Wet Chemical Process,11/20/2024,Wet Chemicals in IC Production,Wafer,Photo Resists,Bulk Gases,Specialty gases,Photo ancillaries,Wet Chemicals,Estimated materials costs for SC manufacturing worldwide 2002,Deposition materials,Others,In%,9/26/2023Wet Chemicals in IC P,11/20/2024,Use of Key Chemicals in the Semiconductor Production,Photoresist stripping,Resist removal,Edge bead remover,Resist/Polyimid treatment,Etching,Oxide,Nitride,Silicon,TiN.,Cleaning,Post CMP cleaning,Particle removal,Heavy metals,Ions,organic contaminations,Post Polymer removers,Post Plasma Etch Polymer removers,Passivation of metal layers,Pad passivation,H,2,SO,4,H,2,O,2,org.Solvents,DMSO,NMP.,H,2,SO,4,H,2,O,2,NH,4,OH,HCl,HF,Citric acid,org.Solvents,HF,HCl,H,3,PO,4,H,2,O,2,NH,4,OH,HNO,3,KOH/NaOH,Hydroxyamine,Ethanoldiamine,Alkyl diol,Wet Chemistry,9/26/2023Use of Key Chemicals,11/20/2024,濕式清潔技術與化學品,濕式清潔技術自,60,年代,RCA,公司研發出來後使用至今已有,30,多年。雖然目前有許多新的清潔方式推出，然,RCA,清潔技術仍被廣泛使用，這乃是可能有效地去除在晶片表面的各式污染源，並不會對晶片產生缺陷或刻痕，且使用操作方便安全，因此被廣為採用。,濕式清潔在目前半導體業界仍以,RCA SC-1,SC-2,兩段步驟搭配,SPM,及,DHF,為主流，其主要清洗機制為：,SC-1,：清除微粒子,SC-2,：清除金屬粒子,SPM,：清除有機物,DHF,：清除表層氧化物,9/26/2023濕式清潔技術與化學品濕式清潔技術自60年代,11/20/2024,濕式清潔技術與化學品,RCA Standard Clean 1(SC-1,，又稱,APM),NH,4,OH/H,2,O,2,/H,2,O,主要應用在微粒子之清除。利用,NH,4,OH,之弱鹼性來活化,Si,晶圓表層，將附著於表面之微粒子去除，此外,NH4OH,具強化合力，也可同時去除部份金屬離子。一般是以,NH,4,OH:H,2,O,2,:H,2,O=1:1:5,之體積比例混合液在,70,o,C,溫度下進行,5-10,分鐘之浸泡清洗。,RCA Standard Clean 2(SC-2,，又稱,HPM),HCl/H,2,O,2,/H,2,O,主要應用在金屬離子之去除，利用,HCl,所形成之活性離子易與金屬離子化合之原理。一般是以,HCl:H,2,O,2,:H,2,O=1:1:6,之體積比例混合液在,70,o,C,溫度下進行,5-10,分鐘之浸泡清洗。,9/26/2023濕式清潔技術與化學品RCA Standar,11/20/2024,濕式清潔技術與化學品,Piranha Clean(SPM)H,2,SO,4,/H,2,O,2,主要應用在有機物之去除，利用,H,2,SO,4,之氧化性來破壞有機物中之碳氫鍵結。一般是以,4:1,之體積比例混合液在,120,o,C,溫度下進行,10-15,分鐘之浸泡清洗。,Dilute HF Clean(DHF)HF/H,2,O,主要應用在清除矽晶圓表面自然生成之二氧化矽層，由於此氧化物層厚度有限，一般均使用經稀釋處理之氫氟酸,(HF 1%,最為普遍,),在室溫下與,SiO2,形成,H2SiF6,之方式去除之。清洗時間一般在,15,秒,-30,秒。,在完成上述濕式清潔技術程序後，可以,IPA,來進行蒸氣乾燥，以避免在晶圓表面上流下水痕。,9/26/2023濕式清潔技術與化學品Piranha Cle,11/20/2024,微影技術用化學品,光刻膠稀釋液,光刻膠乃是經由旋轉塗佈程序而在晶片上形成薄膜，然若其黏度溫過高經常會在晶片邊緣形成珠狀殘餘物（,Edge Bead,）若加入光刻膠稀釋液則可有效控制此現象之發生,目前工業上較常使用之光刻膠稀釋液包括乙醇鹽類如,Propylene Glycol Monomethyl Ether(PGME),及,Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate(PGMEA),混合物；乳酸鹽類如,Ethyl Lactate,及酮類如,Methyl Ethyl Ketone,等,9/26/2023微影技術用化學品光刻膠稀釋液,11/20/2024,微影技術用化學品,顯影劑,光刻膠材料在經過曝光過程，須再經顯影過程將圖案顯現出來，而顯影製程之原理乃是利用鹼性顯影液與經曝光之有機酸性光刻膠層部份進行酸鹼中和反應，使其與未經光刻膠層結構部份形成對比而達到顯像效果在以往顯影劑為如,NaOH,、,KOH,之溶液，但由於金屬離子可能會造成對,IC,元件之污染，近年來已改用有機鹼溶液取代，如四甲基氫氧化銨（,TMAH,）及四乙基氫氧化銨,(TEAH),等,9/26/2023微影技術用化學品顯影劑,11/20/2024,微影技術用化學品,去光刻膠劑,在使用薄膜蝕刻程序將未經光刻膠覆蓋之部份去除後，即可將殘餘之光刻膠層卻除在半導體製程中通常有兩種去除光刻膠材料之方法，一為,濕式去光刻膠法,，另一則為,乾式去光刻膠法,濕式去光刻膠法,利用有機溶液將光刻膠材料溶解而達到去光刻膠之目的，所使用之有機溶劑如,N-Methyl-Pyrolidinone(NMP),、,Dimethyl Sulfoxide(DMSO),、,Hydroxyamine,或,Aminoethoxy ethanol,等,。,另一則是使用無機溶液如硫酸和雙氧水，但這種溶液含政擊金屬薄膜而造成缺陷，目前已較少使用,。,9/26/2023微影技術用化學品去光刻膠劑,11/20/2024,蝕刻技術用高純度化學品,蝕刻製程之功能乃是要將微影製程中未被光刻膠覆蓋或保護的部份以化學反應或物理作用的方式加以去除，而完成轉移光罩圖案到薄膜上面的目的一般而言，蝕刻製程可大致分為兩類：一是,濕式蝕刻,（,Wet Etching,），它是利用化學反應如酸與材料之反應來進行薄膜之蝕刻，另一種為,乾式蝕刻,(Dry Etching),它乃是利用物理方法如電漿蝕刻來進行薄膜侵蝕的一種技術,9/26/2023蝕刻技術用高純度化學品蝕刻製程之功能乃是要,11/20/2024,濕式蝕刻技術與化學品,濕式蝕刻技術是屬於化學品（液相）與薄膜（固相）之表面反應，此技術之優點在於其製程簡且產量速度快，而由於化學反應並無方向性乃是屬於一種等方向性蝕刻一般而言，濕式蝕刻在半導體製程可用於下列幾個方面：,二氧化矽層之圖案蝕刻（,Pattern,）或去除,氮化矽（,Nitride,）層之圖案蝕刻或去除,金屬層,(,如,Al),之圖案蝕刻或去除,多晶矽（,Polycrystalline Si,）層之圖案蝕刻或去除,非等向性矽層蝕刻,減低矽晶圓蝕刻,矽晶圖表層拋光,矽晶圖表層粗糙化,矽晶圓回收（,Wafer Reclaim,）,9/26/2023濕式蝕刻技術與化學品濕式蝕刻技術是屬於化學,11/20/2024,二氧化矽層蝕刻,一般是以氫氟酸及氟化銨（,HF/NH4F,）所混合成之緩衝溶液,(Buffered Oxide Etchant,BOE),來蝕刻,SiO,2,層，化學反應式如下：,SiO,2,+4HF+2NH,4,F (NH,4,),2,SiF,6,+2H,2,O,利用,HF,來去除,SiO,2,層，而緩衝溶液中,NH,4,F,是用來補充所消耗之,F,-,，使得蝕刻率能保持穩定,。,而影響蝕刻率之因素包括：,SiO,2,層之型態：結構較鬆散,(,含水份較高,),，蝕刻率較快,。,反應溫度：溫度較高，蝕刻率較快,。,緩衝液之混合比例：,HF,比例愈高，蝕刻率愈快,。,9/26/2023二氧化矽層蝕刻一般是以氫氟酸及氟化銨（HF,11/20/2024,一般是以熱磷酸（,140,o,C,以上）溶液作為,Nitride,層蝕刻液，反應溫度愈高，磷酸組成在水份蒸發後也隨之升高，蝕刻率也會加快，在,140,o,C,時，蝕刻率約在,20,/min,，當溫度上升至,200,o,C,時，蝕刻率可達,200,/min,，實務上多使用,85%,之,H,3,PO,4,溶液,。,化學反應式如下：,Si,3,N,4,+6H,2,O 3SiO,2,+4NH,3,H,3,PO,4,act as a catalyst in Si,3,N,4,etching,氮化矽層蝕刻,9/26/2023一般是以熱磷酸（140oC以上）溶液作為N,11/20/2024,鋁層蝕刻,鋁常在半導體製程中作為導電層材料，濕式鋁層蝕刻可使用下列無機酸鹼來進行，包括：,(1)HCl,(2)NaOH,或,KOH,(3)H,3,PO,4,/HNO,3,(4)H,3,PO,4,/HNO,3,/CH,3,COOH,因第,(4),項之混合溶液之蝕刻效應最為穩定，目前被廣泛運用在半導體製程中。主要之製程原理是利用,HNO,3,與,Al,層之化學反應，再由,H,3,PO,4,將,Al,2,O,3,溶解去除。,2Al+6HNO,3,Al,2,O,3,+3H,2,O+6NO,2,Al,2,O,3,+2H,3,PO,4,2AlPO,4,+3H,2,O,一般之蝕刻率約控制在,3000/min,。,9/26/2023鋁層蝕刻鋁常在