单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,太阳能光伏发电技术,太阳能光伏发电技术,1 光伏发电技术的应用,1 光伏发电技术的应用,太阳能光伏发电技术课件,2 太阳电池原理及分类,光生伏特效应,P-N结,2 太阳电池原理及分类光生伏特效应,太阳电池分类,商用：单晶硅电池，多晶硅电池，非晶硅电池，碲化镉电池，铜铟硒电池等,在研究的还有：纳米氧化钛敏化电池，多晶硅薄膜以及有机太阳电池等,实际应用（主要）：晶体硅材料太阳电池,太阳电池分类商用：单晶硅电池，多晶硅电池，非晶硅电池，碲化镉,3 太阳电池生产工艺流程,3 太阳电池生产工艺流程,太阳电池的主要制造过程,（,1,）硅片腐蚀,NaOH,腐蚀,Na2CO3,绒化,（,2,）扩散制结,用,P,型硅片进行磷扩散形成,N,型层,（,3,）等离子边缘腐蚀,辉光放电中氟离子与硅发生反应,生成挥发性物质,SiF,4,Si+2NaOH+H,2,O=Na,2,SiO,3,+2H,2,4POCl,3,+3O,2,(,过量,),=2P,2,O,5,+6Cl,2,(,气,),2P2O,5,+5Si=5SiO,2,+4P,太阳电池的主要制造过程（1）硅片腐蚀Si+2NaOH+H,(4)去磷硅玻璃,(5),减反射膜制备,等离子体增强化学气相沉积技术，在电池表面沉积氮化硅（,SiNx),减少反射及钝化作用。,(PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition),(6),表面金属化,普遍采用丝网印刷法,高透过率,VS,低接触电阻,=,正面电极的形式和厚度,(7),检测分级,SiO,2,+6HF =H,2(,SiF,6,)+2H,2,O,SiO2+6HF =H2(SiF6)+2H2O,4 太阳电池表征及分析,实用地面应用的太阳电池的国际标准测试条件,:,AM1.5,1000W/m2,，,25,（,AM,：,Air Mass,大气质量）,太空太阳电池测试,AM0,1353 W/m2,（太阳常数）,太阳光在地球表面垂直辐照时，,AM1,1070 W/m2,测试仪器,-,太阳电池模拟器,:,4 太阳电池表征及分析实用地面应用的太阳电池的国际标准测试条,电子束诱导电流 EBIC分析,目的,研究,PN,结表面及断面的载流子复合情况,原理,高能电子束激发电子空穴对，形成电子束感生电动势，连接,PN,结两端形成电子束感生电流并放大成像,作用,观察电活性缺陷及晶界,电子束诱导电流 EBIC分析目的,左图亮区对应于右图中尺寸较大的晶粒,左图的暗区与右图中晶粒间界对应,左图较大面积的暗区与右图中小晶粒密集区域对应,德国,ISE,制备的颗粒硅带 衬底上薄膜太阳电池表面的,EBIC(,左,),及,SEM(,右,),对比照片,左图亮区对应于右图中尺寸较大的晶粒德国ISE制备的颗粒硅带,太阳电池的效率,晶格热振动损失,PN,结损失,接触损失,复合损失,标准单结太阳电池的能量损失过程图,目前单晶硅电池效率：,16,20,太阳电池的效率 晶格热振动损失 标准单结太阳电池的能量损,5 光伏发电前景展望,5 光伏发电前景展望,2006,年全年：,净收入,5.989,亿美元，,同比增长,165%,2006年全年：,国内太阳能产业发展情况,中国已经有各种光伏企业超过,500,家,2006,年太阳电池产能,1200MW,、产量约,400MWp,，是上年的,280%,；组件产能,2000MW,、产量约,600MW,，是上年的,210%,。成为继日本、欧洲之后第三大太阳能电池生产国。,2005,年多晶硅产量为,80,吨，,2006,年为,290,吨，,2007,年将超过,1000,吨，,2010,年产量有望过万吨。,中国光伏产业是三头在外：,硅材料主要依靠进口,制造装备主要依靠进口,还有就是市场主要在国外,国内太阳能产业发展情况中国已经有各种光伏企业超过500家,