,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,*,单击此处编辑母版标题样式,MOS场效应晶体管及其SPICE模型,MOS管的构造尺寸缩小到亚微米范围后，多维的物理效应和寄生效应使得对MOS管的模型描述带来了困难。模型越简洁，模型参数越多，其模拟的精度越高。但高精度与模拟的效率相冲突。依据不同需要，常将MOS模型分成不同级别。SPICE2中供给了几种MOS场效应管模型，并用变量LEVEL来指定所用的模型。,LEVEL1 MOS1模型 Shichman-Hodges模型,LEVEL2 MOS2模型 二维解析模型,LEVEL3 MOS3模型 半阅历短沟道模型,LEVEL4 MOS4模型 BSIMBerkeley short-channel IGFET model模型,MOS1模型,MOS1模型是MOS晶体管的一阶模型，描述了MOS管电流,-,电压的平方率特性，它考虑了衬底调制效应和沟道长度调制效应。适用于精度要求不高的长沟道MOS晶体管。,1线性区非饱和区,MOS1模型,器件工作特性,当,V,GS,V,TH,，,V,DS,V,TH,，,V,DS,V,GS,V,TH,，MOS管工作在饱和区。,电流方程为：,3两个衬底PN结,两个衬底结中的电流可用类似二极管的公式来模拟。,当,V,BS,0时,MOS1模型,衬底PN结电流公式,当,V,BS,0时,当,V,BD,0时,MOS2 模型,二阶模型所使用的等效电路和一阶模型一样，但模型计算中考虑了各种二阶效应对MOS器件漏电流及阈值电压等特性的影响。这些二阶效应包括：,1沟道长度对阈值电压的影响；,2漏栅静电反响效应对阈值电压的影响；,3沟道宽度对阈值电压的影响；,4迁移率随外表电场的变化；,5沟道夹断引起的沟道长度调制效应；,6载流子漂移速度限制而引起的电流饱和效应；,7弱反型导电。,1短沟道对阈值电压的影响,MOS器件二阶效应,沟道长度L的削减，使衬底耗尽层的体电荷对阈值电压奉献削减。体电荷的影响是由体效应阈值系数表达的，它的变化使V TH变化。考虑了短沟效应后的体效应系数S为：,可见，当沟道长度,L,减小时阈值电压降低，而沟道宽度,W,变窄时阈值电压提高。,MOS器件二阶效应,2静电反响效应,随着,V,DS,的增加，在漏区这一边的耗尽层宽度会有所增加，这时漏区和源区的耗尽层宽度,W,D,和,W,S,分别为：,上式中，,，,因此,S,修正为：,可见，由于,V,DS,的增加而造成的,W,D,增加，会使阈值电压进一步下降。,MOS器件二阶效应,3窄沟道效应,实际的栅总有一局部要掩盖在场氧化层上(沟道宽度以外)，因此场氧化层下也会引起耗尽电荷。这局部电荷虽然很少，但当沟道宽度W很窄时，它在整个耗尽电荷中所占的比例将增大。与没有“边缘”效应时的状况相比较，栅电压要加得较大才能使沟道反型。,这时,V,TH,被修正为,：,MOS器件二阶效应,4迁移率修正,在栅电压增加时，外表迁移率率会有所下降，,其阅历公式为：,式中，0外表迁移率；Ecrit为栅-沟道的临界电场强度；,Etra是横向电场系数，它表示VDS对栅-沟道电场的影响；,EEXP为迁移率下降的临界指数系数。,MOS器件二阶效应,5沟道长度调制效应,当,V,DS,增大时，MOS管的漏端沟道被夹断并进入饱和，,V,DS,进一步增大，该夹断点向源区移动，从而使沟道,的有效长度减小，这就是沟道长度调制效应。,在考虑了沟道长度调制效应后，器件的有效沟道长度为：,式中：,MOS器件二阶效应,6载流子有限漂移速度引起的电流饱和,对于同样的几何尺寸比、同样的工艺和偏置，短沟道器件比起长沟道器件来讲饱和电流要小。,在MOS2模型中，引入了参数,max,表示载流子的最大漂移速率，于是有：,MOS器件二阶效应,7弱反型导电,MOSFET并不是一个抱负的开关，实际上当VGSVTH时在外表处就有电子浓度，也就是当外表不是强反型时就存在电流。这个电流称为弱反型电流或次开启电流。SPICE2中定义一个新的阈值电压VON，它标志着器件从弱反型进入强反型。当VGSVON时为弱反型，当VGSVON时，为强反型。,在弱反型导电时，漏源电流方程为：,MOS3 模型,MOS3模型是一个半阅历模型，适用于短沟道器件，对于沟长2m的器件所得模拟结果很准确。在MOS3中考虑的器,件二阶效应如下：,1漏源电压引起的外表势垒降低而使阈值电压下降的静,电反响效应；,2短沟道效应和窄沟道效应对阈值电压的影响；,3载流子极限漂移速度引起的沟道电流饱和效应；,4外表电场对载流子迁移率的影响。,MOS3模型参数大多与MOS2一样，但其阈值电压、饱和电流、沟道调制效应和漏源电流表达式等都是半阅历公式，并引入了新的模型参数：EAT、THETA和KAPPA。,下面分别争论MOS3半阅历公式及这三个参数的意义：,MOS3 模型,1阈值电压的半阅历公式,式中，是模拟静电反响效应的阅历模型参数，,FS为短沟道效应的校正因子。,MOS3 模型,1阈值电压的半阅历公式,在MOS3中承受改进的梯形耗尽层模型，考虑了圆柱,形电场分布的影响，如以下图。图中Wc为圆柱结耗尽,层宽度，Wp为平面结耗尽层宽度。,MOS3 模型,2外表迁移率调制,表示迁移率和栅电场关系的阅历公式为：,式中阅历模型参数称为迁移率调制系数。,MOS3 模型,3沟道长度调制减小量的半阅历公式,当VDS大于VDSAT时，载流子速度饱和点的位置渐渐移向源区，造成沟道长度调制效应。沟道长度的减小量L为：,上式中，,E,P,为夹断点处的横向电场，,为饱和电场系数。,MOS电容模型,1PN结电容,结电容由底部势垒电容和侧壁势垒电容两局部组成：,2栅电容,MOS电容模型,栅电容CGB，CGS，CGD包括随偏压变化及不随偏压变化两局部：,C,GB,C,GB1,C,GB2,C,GS,C,GS1,C,GS2,C,GD,C,GD1,C,GD2,其中不随偏压而变的局部是栅极与源区、漏区的交叠氧化层电容以及栅与衬底间的交叠氧化层电容(在场氧化层上)，即：,C,GB2,C,GB0L,C,GS2,C,GS0W,C,GD2,C,GD0W,MOS电容模型,2栅电容,随偏压而变的栅电容是栅氧化层电容与空间电荷区电容相串联的局部。列出了不同工作区栅电容的变化如下：,工作区,C,GB1,C,GS1,C,GD1,截止区,C,OX,WL,eff,0,0,非饱和区,0,C,OX,WL,eff,/2,C,OX,WL,eff,/2,饱和区,0,(2/3),C,OX,WL,eff,0,不同工作区的栅电容,串联电阻对MOS器件的影响,漏区和源区的串联电阻会严峻地影响MOS管的电学特性，串联电阻的存在使加在漏源区的有效电压会小于加在外部端口处的电压。SPICE2等效电路中插入了两个电阻rD和rS，它们的值可在模型语句：“MODEL ”中给定，也可通过MOSFET中的NRD和NRS来确定。,r,D,R,sh,N,RD,r,S,R,sh,N,RS,式中，Rsh漏集中区和源集中区薄层电阻；,NRD漏集中区等效的方块数；,NRS源集中区等效的方块数。,短沟道MOS场效应管BSIM3模型,BSIMBerkeley short-channel IGFET model模型是特地为短沟道MOS场效应晶体管而开发的模型。在BSIM3模型中考虑了以下效应：,1短沟和窄沟对阈值电压的影响；6漏感应引起位垒下降；,2横向和纵向的非均匀掺杂；7沟道长度调制效应；,3垂直场引起的载流子迁移率下降8衬底电流引起的体效应，,4体效应；9次开启导电问题；,5载流子速度饱和效应；10漏源寄生电阻。,短沟道MOS场效应管BSIM3模型,阈值电压,1垂直方向非均匀掺杂,2横向非均匀掺杂,3短沟道效应,4窄沟道效应,短沟道MOS场效应管BSIM3模型,迁移率,一个好的外表迁移率模型对于MOSFET模型的精度是致关重要的。一般讲，迁移率与很多工艺参数及偏置条件有关。BSIM3中所供给的迁移率公式是：,短沟道MOS场效应管BSIM3模型,载流子漂移速度,：载流子速度到达饱和时的临界电场,：载流子饱和速度,E,SAT,式中：,短沟道MOS场效应管BSIM3模型,强反型时的漏源电流,1截止区VGSVTH,I,DS,0,2线性工作区VGSVTH，0 VDSVTH，VDS VDSAT,短沟道MOS场效应管BSIM3模型,强反型时的漏源电流,短沟道MOS场效应管BSIM3模型,弱反型时的漏源电流,BSIM模型认为：总漏电流是强反型的漏电流与弱反型漏电流之和。即：,I,DS,I,DS1,I,DS2,弱反型漏电流重量表示为：,