,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,第七章 半导体存储器,第七章 半导体存储器,1,半导体存储器分类,半导体存储器分类,2,RAM特点,：工作中，可随机对存储器的任意单元进行读、写。,按功能 分：RAM 可分为,静态,、,动态,两类；,按所用器件分：可分为双极型和,MOS,型两种。,7.1,随机,读写存储器(RAM),按读写方式分：可分为,单口形,和,双口型,两种。,静态：,数据写入后，不掉电数据不会丢；,动态：,指数据写入后，要定时刷新，否则不掉电数据也会丢失。,单口形：不能同时读、写；双口型：能同时读、写。,随机存取存储器简称RAM，也叫做读/写存储器，,既能方便地读出所存数据，又能随时写入新的数据。,RAM的,缺点是数据的易失性，即一旦掉电，所存的数据全部丢失。,RAM特点：工作中，可随机对存储器的任意单元进行读、写,3,Q,Q,7.1.1 静态基本存储单元,T,1,T,4,构成基本,R,-,S,触发器,六管存,储单元,T5、T6为门控管,T7、T8为数据线控制管,1、静态RAM存储单元,QQ7.1.1 静态基本存储单元T1 T4 构成基本 R,4,（1）,写,操作,Xi=1有效，T5，T6开通；Yj 有效T7，T8开通。数据,(D=1),被,写入,存储单元。,（2）,读,操作,Xi有效，T5，T6开通；Yj 有效T7，T8开通。数据,(Q=1),从存储单元,读出,。,1,0,1,0,0,1,0,1,1,1,Q,Q,原存储,Q=0,（1）写操作Xi=1有效，T5，T6开通；Yj 有效T7，T,5,T,存储单元,写操作:X=1 =0,T导通，电容器,C,与位线B连通,输入缓冲器被选通，数据D,I,经缓冲器和位线写入存储单元,如果D,I,为1，则向电容器充电，C存1;反之电容器放电,C存0。,-,刷新R,行选线X,读/写,输出缓冲器/灵敏放大器,刷新缓冲器,输入缓冲器,位,线,B,2 动态随机存取存储器(DRAM),T 存储单元写操作:X=1 =,6,读操作:X=1 =1,T导通，电容器,C,与位线B连通,输出缓冲器/灵敏放大器被选通，,C,中存储的数据通过位线和缓冲器输出,T,刷新,R,行选线,X,刷新缓冲器,输入缓冲器,位,线,B,每次读出后，必须及时对读出单元刷新，即此时刷新控制,R,也为高电平，则读出的数据又经刷新缓冲器和位线对电容器,C,进行刷新。,输出缓冲器/灵敏放大器,读操作:X=1 =1T导通，电容器C与位线,7,3、RAM结构示意图,D,0,D,1,D,2,D,3,A,0,A,1,A,2,A,3,A,4,A,5,A,6,A,7,R/,2564 RAM,3、RAM结构示意图D0D1D2D3A0A1A2A3A4A5,8,存储器容量：,32行32列,矩阵,2564,（字数）（位数）,256个字，宽度4位的阵需：32根行线、8根列线。,（1）存储矩阵,随机存取存储器RAM,当Xi和Yj有效时，一个,字,的四个存储单元被选中。,存储器容量：32行32列矩阵 25,9,A,7,A,0,=,000,11111时，选中哪个单元?,256个字需要8根地址线,A,7,A,0,即可全部寻址。,（2）地址译码,2,5,=32,译码器,A,5,A,6,A,7,2,3,=8,1,1,1,1,1,0 0 0,字线,位线,31，0,A7A0=00011111时，选中哪个单元?256个字需要,10,2）,=0时，,芯片被选中。R/W=1时，G,5,输出“1”，G,3,导通；G,4,输出“0”，G,1,、G,2,高阻态截止，,读操作,；,（3）片选与读写控制电路,1）,=1时，,G,4，,G,5,输出为“0”，三态门G,1,，G,2,，G,3,均为高阻态，芯片未选中，不能进行读或写操作。,3）,=0时，,R/W=0，G,4,输出“1”，G,1,、G,2,导通；G,5,输出“0”，G,3,高阻态，,写操作,。,2）=0时，芯片被选中。R/W=1时，G5输出“1,11,7.1.2 RAM的扩展位扩展和字扩展,1.位扩展,例 试用,10241,位,的RAM扩展成,10248,的存储器。,分析：,（1）,需要10241的RAM多少片。,寻址范围：,00 0000 0000 11 1111 1111,(000H3FFH),7.1.2 RAM的扩展位扩展和字扩展1.位扩展例,12,2.字扩展,例 试用,2564,RAM扩展成,10244,存储器。,解：需用的2564RAM芯片数为：,N,=总存储容量/,单,片存储容量=,=4（片）,用2564RAM组成10244存储器,2.字扩展例 试用2564RAM扩展成10244存储,13,3、全扩展：字数加倍，位数也加倍的扩展方式。,例：将4K,4的RAM扩展为16K,8的存储系统。,片选地址线数=14,12=2,数据线数=位线数=8,3、全扩展：字数加倍，位数也加倍的扩展方式。片选,14,8个芯片构成4组，每组2片。数据线D,0,D,7,、片内地址线A,0,A,11,，片选地址线A,12,A,13,需2/4线译码器来译码。,8个芯片构成4组，每组2片。数据线D0D7、片内地址线A0,15,7.2 只读存储器(ROM),7.2.1 ROM的基本结构及工作原理,ROM主要由,地址译码器、存储矩阵,和,输出电路,三部分组成。,（1）二极管构成的ROM电路如下：,只读存储器因工作时其内容只能读出而得名，常用于存储数字系统及计算机中不需改写的数据，例如数据转换表及计算机操作系统程序等。ROM(ReadOnly Memory)存储的数据不会因断电而消失，即具有非易失性。,7.2 只读存储器(ROM)7.2.1 ROM的基,16,输出,存储矩阵,字线,位线,0,0,0,1,0,1,1,1,1,1,0,0,1,1,0,0,1,1,0,0,1,0,0,1,地 址,A,1,A,0,D,3,D,2,D,1,D,0,内 容,输出存储矩阵字线位线00010111110011001100,17,+V,CC,W,3,W,0,W,1,W,2,D,0,D,1,D,2,D,3,（2）MOS 管的ROM 矩阵,矩阵中，字线和位线间有 MOS 管的单元，存储“0”；无 MOS 管的，存储“1”,。,+VCCW3W0W1W2D0D1D2D3（2）MOS 管的R,18,以上两种称为,掩膜,ROM，其存储矩阵中的内容在出厂时已被固定，用户不能修改。,（3）,PROM,字线,位线,熔断丝,将熔丝烧断，字线、位线在此交叉，该单元变成“0”。,PROM,是一种可编程序的 ROM，采用熔丝结构，只给用户一次编程机会。在出厂时全部存储“1”，用户可根据需要将某些单元改写为“0”。,以上两种称为掩膜ROM，其存储矩阵中的内容在出,19,（5）,EPROM,是可以改写多次，存储的信息可以用紫外线照射擦除，然后又可以重新编制信息的ROM。,（6）,EEPROM，Flash ROM,是可以,在线,，,电可擦除和编程,的ROM。有并行和串行两种。,（5）EPROM 是可以改写多次，存储的信息,20,ROM,D/A,计数器,CP,计数脉冲,送示波器,3,4,A,1,A,2,A,0,D,3,D,2,D,1,D,0,D/A,0,1,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,2,4,8,12,9,6,3,7.2.2 ROM的应用举例,1.,波形发生器,ROMD/A计数器CP计数脉冲送示波器34A1A2A0D3D,21,ROM,D/A,计数器,CP,计数脉冲,送示波器,3,4,u,o,A,1,A,2,A,0,D,3,D,2,D,1,D,0,D/A,0,1,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,2,4,8,12,9,6,3,t,u,o,0,ROMD/A计数器CP计数脉冲送示波器34uoA1A2A0D,22,数学运算是数控装置和数字系统中需要经常进行的操作，如果事先把要用到的基本函数变量在一定范围内的取值和相应的函数取值列成表格，写入只读存储器中，则在需要时只要给出规定“地址”就可以快速地得到相应的函数值。这种ROM，实际上已经成为函数运算表电路。,【例8.21】试用ROM构成能实现函数,y,=,x,2,的运算表电路，,x,的取值范围为015的正整数。,【解】（1）分析要求、设定变量,自变量,x,的取值范围为015的正整数，对应的4位二进制正整数，用,B,=,B,3,B,2,B,1,B,0表示。根据,y,=,x,2,的运算关系，可求出,y,的最大值是15,2,225，可以用8位二进制数,Y,=,Y,7,Y,6,Y,5,Y,4,Y,3,Y,2,Y,1,Y,0表示。,2.作函数运算表电路,数学运算是数控装置和数字系统中需要经常进行的操作，,23,（2）列真值表函数运算表,Y,7=,m,12+,m,13+,m,14+,m,15,Y,6=,m,8+,m,9+,m,10+,m,11+,m,14+,m,15,Y,5=,m,6+,m,7+,m,10+,m,11+,m,13+,m,15,Y,4=,m,4+,m,5+,m,7+,m,9+,m,11+,m,12,Y,3=,m,3+,m,5+,m,11+,m,13,Y,2=,m,2+,m,6+,m,10+,m,14,Y,1=0,Y,0=,m,1+,m,3+,m,5+,m,7+,m,9+,m,11+,m,13+,m,15,（3）写标准与或表达式,（2）列真值表函数运算表Y7=m12+m13+m14+m1,24,（4）画ROM存储矩阵节点连接图,为做图方便，可将ROM矩阵中的二极管用节点表示。,图8.25 例8.21 ROM存储矩阵连接图,（4）画ROM存储矩阵节点连接图图8.25 例8.21,25,当我们把ROM存储矩阵做一个逻辑部件应用时，可将其用方框图表示。,说明:在图8.25所示电路中，字线,W,0,W,15分别与最小项,m,0,m,15一一对应，我们注意到作为地址译码器的与门阵列，其连接是固定的，它的任务是完成对输入地址码（变量）的译码工作，产生一个个具体的地址地址码（变量）的全部最小项；而作为存储矩阵的或门阵列是可编程的，各个交叉点可编程点的状态，也就是存储矩阵中的内容，可由用户编程决定。,当我们把ROM存储矩阵做一个逻辑部件应用时，可将其用方框图表,26,从ROM的逻辑结构示意图可知，只读存储器的基本部分是与门阵列和或门阵列，与门阵列实现对输入变量的译码，产生变量的全部最小项，或门阵列完成有关最小项的或运算，因此从理论上讲，利用ROM可以实现任何组合逻辑函数。,2实现任意组合逻辑函数,【例8.22】试用ROM实现下列函数：,从ROM的逻辑结构示意图可知，只读存储器的基本部分是与门阵列,27,1.,写出各函数的标准与或表达式,按,A,、,B,、,C,、,D,顺序排列变量，将Y1、Y2扩展成为,四变量逻辑函数。,【解】,1.写出各函数的标准与或表达式【解】,28,2.,选用164位ROM，画存储矩阵连线图,图8.27 例8.22 ROM存储矩阵连线图,2.选用164位ROM，画存储矩阵连线图图8.27 例,29,四常用的,EPROM,举例,2764,标准,28脚双列直插EPROM 2764逻辑符号,Intel 2764 EPROM 的外形和引脚信号,四常用的EPROM 举例2764 标准28脚双列直插E,30,（1）字长的扩展。（现有型号的EPROM，输出多为8位。）,如图所示是将两片2764扩展成8k16位EPROM的连线图。,五ROM容量的扩展,（1）字长的扩展。（现有型号的EPROM，输出多为8位。）五,31,（2）字数扩展。,