,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,第6章 存储器及其接口,教学重点,半导体存储器的分类,芯片,SRAM,61146和,DRAM,2116,芯片,EPROM,2716,存储器与CPU的连接,本章主要讨论半导体存储器及组成主存的方法,1,第6章 存储器及其接口教学重点1,6.1 存储器的分类与组成,微型计算机的存储结构,寄存器,位于CPU中,主存,由半导体存储器(ROM/RAM)构成,辅存,指磁盘、磁带、磁鼓、光盘等大容量存储器，采用磁、光原理工作,高速缓存,(CACHE)由静态RAM芯片构成,P211图6.1内存外存与CPU的连接,CPU（寄存器）,CACHE,（高速缓存）,主存（内存）,辅存（外存）,2,6.1 存储器的分类与组成微型计算机的存储结构CPU（寄存,6.1.1 半导体存储器的分类,按制造工艺分类,双极型：,速度快,、集成度低、功耗大,MOS型：速度慢、集成度高、,功耗低,按使用属性分类,随机存取存储器 RAM：,可读可写,、断电丢失,只读存储器 ROM：,只读、断电不丢失,详细分类，请看图示,3,6.1.1 半导体存储器的分类按制造工艺分类详细分类，请看图,图6.2 半导体存储器的分类,半导体,存储器,只读存储器,（ROM）,随机存取存储器,（RAM）,静态 RAM（SRAM）,动态 RAM（DRAM）,非易失 RAM（NVRAM）,掩膜式ROM,一次性可编程 ROM（PROM）,紫外线擦除可编程 ROM（EPROM）,电擦除可编程 ROM（EEPROM）,4,图6.2 半导体存储器的分类半导体只读存储器随机存取存储器静,读写存储器RAM,类型,构成,速度,集成度,应用,SRAM,触发器,快,低,小容量系统,DRAM,极间电容,慢,高,大容量系统,NVRAM,带微型电池,快,低,小容量非易失,5,读写存储器RAM类型构成速度集成度应用SRAM触发器快低小容,只读存储器ROM,掩膜,ROM,：,信息制作在芯片中，不可更改,PROM,：,允许一次编程，此后不可更改,EPROM,：,用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程,EEPROM,（,E,2,PROM,）：,采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写,Flash Memory,（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）进行擦除,6,只读存储器ROM掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改6,6.1.2 半导体存储器的组成,1.,存储体,由基本存储电路构成，用来存储信息，通常排列成矩阵，其地址线的位数与存储单元的个数有关 2,n,=N。,2.,地址选择,电路根据输入的地址编码来选中芯片内某个特定的存储单元,分单译码、双译码。,3. 读写电路与控制电路-包括读写放大器(,处于数据总线和被选中单元之间)，,数据缓冲,电路(数据输入输出通道)，,片选控制端,CS,和,读写,控制逻辑。P214图6.4 。,7,6.1.2 半导体存储器的组成1. 存储体由基本存储电路,地址译码电路,译码器,A,5,A,4,A,3,A,2,A,1,A,0,63,0,1,存储单元,64个单元,行译码,A,2,A,1,A,0,7,1,0,列译码,A,3,A,4,A,5,0,1,7,64个单元,单译码结构P245,双译码结构p246,8,地址译码电路译码器A56301存储单元64个单元行译码A27,SRAM 芯片的内部,结构,Di,行,地,址,译,码,列地址译码,A,3,A,2,A,1,A,0,A,4,A,5,A,6,A,7,1,0,0,15,15,1,CS,OE,WE,输入缓冲,输出,缓冲,基本存储单元,列选通,9,SRAM 芯片的内部结构Di行列地址译码A3A4 A5,6.2 随机存取存储器RAM,6.2.1 静态随机存取存储器,1. SRAM基本存储电路,10,6.2 随机存取存储器RAM6.2.1 静态随机存取存储器,2. SRAM的组成,11,2. SRAM的组成11,3. SRAM的读写过程,1）读出：地址被送到RAM的地址输入端，经X、Y译码，产生行选、列选信号，选中单元，同时读控制信号和片选信号将输出缓冲的三态门打开，所存信息出现在DB上。,2）写入：同上先选中单元，同时写信号和片选将打开输入缓冲三态门，DB上的信息被送入单元。,3）存储状态：某单元不被选中，其基本存储电路与DB是隔离的，DB上的信息不会对该单元起作用，该单元处于存储状态。,12,3. SRAM的读写过程1）读出：地址被送到RAM的地址输入,4. SRAM芯片举例,常用的有2114、2142、6116、6264,6116的存储容量为,2K,8,24个,引脚：,11,根地址线,A,10,A,0,8,根数据线,I/O,7,I/O,0,片选,CS,读写,WE,输出允许,OE,存储体128,128 P217,1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,24,2322,21,20,19,18,17,16,15,Vcc,A,8,A,9,WE,OE,A,10,I/O,7,I/O,6,I/O,5,A,7,A,6,A,5,A,4,A,3,A,2,A,1,A,0,I/O,0,功能,I/O,1,I/O,2,GND,13,14,I/O,2,I/O,3,I/O,4,13,4. SRAM芯片举例常用的有2114、2142、6116、,SRAM芯片6264,存储容量为,8K8,28个引脚：,13,根地址线 A,12,A,0,8,根数据线 D,7,D,0,2,根片选,CS1,、CS2,读写,WE,、,OE,P218例,功能,+5V,-WE,CS,2,A,8,A,9,A,11,-OE,A,10,-CS1,D,7,D,6,D,5,D,4,D,3,NC,A,12,A,7,A,6,A,5,A,4,A,3,A,2,A,1,A,0,D,0,D,1,D,2,GND,1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14,28,27,26,25,24,23,22,21,20,19,18,17,16,15,14,SRAM芯片6264存储容量为 8K8+5VNC12814,32K8的SRAM芯片62256,1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,21,22,23,24,25,26,27,28,A14,A12,A7,A6,A5,A4,A3,A2,A1,A0,D0,D1,D2,GND,D3,D4,D5,D6,D7,CS,A10,OE,A11,A9,A8,A13,WE,Vcc,62256引脚图,A14,A13,A12,A11,A10,A9,A8,A7,A6,A5,A4,A3,A2,A1,A0,OE,CS,WE,D7,D6,D5,D4,D3,D2,D1,D0,62256逻辑图,15,32K8的SRAM芯片622561234567891011,6.2.2 动态随机存取存储器,DRAM以MOS管栅极电容是否充有电荷来存储信息。,基本存储电路有4管、3管和单管等。,P320 3管。,16,6.2.2 动态随机存取存储器DRAM以MOS管栅极电容是否,2）单管动态基本存储电路,写入：字选线为1，T1导通，信息由D存入C,S,。,读出：字选线为1，T1导通，C,S,上的信息通过T1送到D线。,信息读出后，C,S,上的电压下降，要保存原信息，必须重写，外围电路复杂。,17,2）单管动态基本存储电路写入：字选线为1，T1导通，信息由D,2. 动态RAM芯片举例,Intel 2116单管动态RAM芯片，16K,1,，16个引脚。,7条地址线，采用分时复用技术，按行(,RAS),、列地址(,CAS,)分2次引入芯片。单元选中后,WE,信号决定是写还是读。,RAS,兼做片选信号。,A6A0也用作刷新地址的输入。,18,2. 动态RAM芯片举例Intel 2116单管动态RAM,DRAM芯片,的内部结构,T,5,T,4,T,3,T,2,T,1,V,DD,读出再生,放大电路,列128,列2,D,IN,D,OUT,列1,行128,行66,行65,行64,行2,行1,I/O,缓冲,单管基本存储单元,读出再生放大电路,19,DRAM芯片的内部结构T5T4T3T2T1VDD读出再生列,动态RAM,采用,行地址,和,列地址,来确定一个单元；,行列地址,分时,传送，,共用一组地址线；,地址线的数量仅,为同等容量SRAM,芯片的一半。,DRAM还有2164、3764、4164等,行1,地0,址0,0,1 0 0 0,列地址,20,动态RAM采用行地址和列地址来确定一个单元；行11,DRAM芯片2164,存储容量为,64K1,16个,引脚：,8,根地址线,A,7,A,0,1,根数据输入线D,IN,1,根数据输出线D,OUT,行地址选通,RAS,列地址选通,CAS,读写控制,WE,N/C,D,IN,WE,RAS,A,0,A,2,A,1,V,DD,V,SS,CAS,D,OUT,A,6,A,3,A,4,A,5,A,7,1,2,3,4,5,6,7,8,16,15,14,13,12,11,10,9,21,DRAM芯片2164存储容量为 64K1N/CVSS116,2164,存储体由4个128,128的存储矩阵。,7条行地址产生128个行选信号，7条列地址产生128个列选信号，同时加到4个存储矩阵上，选中4个单元，最后由RA,7,和CA,7,选中1个单元进行读写。,WE为高，读，WE为低，写。,22,2164存储体由4个128128的存储矩阵。22,DRAM 2164的刷新,采用“,仅行地址有效,”方法,刷新,行地址选通,RAS,有效，传送行地址，在4个存储矩阵中都选中1行，每次同时刷新512个单元。,列地址选通,CAS,无效，没有列地址,没有数据从芯片中输出，也没有数据输入芯片,每隔固定的时间（约15uS） DRAM必须进行一次刷新，2毫秒（128次）可将DRAM全部刷新一遍。,23,DRAM 2164的刷新采用“仅行地址有效”方法刷新23,静态RAM的特点,特点：,用双稳态触发器存储信息。,速度快（5ns），不需刷新，外围电路比较简单，但集成度低（存储容量小，约1Mbit/片），功耗大。,在PC机中，SRAM被广泛地用作高速缓冲存储器Cache。,对容量为M*N的SRAM芯片，其地址线数,=,2,M（2,n,=M),；数据线数=N。反之，若SRAM芯片的地址线数为K，则可以推断其单元数为,2,K,个。,24,静态RAM的特点特点：24,动态RAM的特点,特点：,DRAM是靠MOS电路中的栅极电容来存储信息的，由于电容上的电荷会逐渐泄漏，需要定时充电以维持存储内容不丢失（称为,动态刷新,），所以动态RAM需要设置,刷新,电路，相应外围电路就较为复杂。,刷新定时间隔一般为几微秒几毫秒,DRAM的特点是集成度高（存储容量大，可达1Gbit/片以上），功耗低，但速度慢（10ns左右），需要刷新。,DRAM在微机中应用非常广泛，如微机中的内存条（主存）、显卡上的显示存储器几乎都是用DRAM制造的。,25,动态RAM的特点特点：25,6.3 只读存储器(ROM),6.3.1 只读存储器存储信息的原理和组成,P222 图6.15 6.16,26,6.3 只读存储器(ROM)6.3.1 只读存储器存储信息的,6.3.2 只读存储器的分类,不可编程掩模ROM,一次性可写ROM,可读写ROM,分 类,EPROM（紫外线擦除）,EEPROM（电擦除）,27,6.3.2 只读存储器的分类不可编程掩模ROM分 类EPRO,只读存储器(ROM),位线,地,址,译,码,A,1,A,0,字线3,字线2,字线1,字线0,11,10,01,00,V,DD,D,0,D,1,D,2,D,3,掩膜式,ROM,位,线,字选线,熔丝,V,CC,熔丝式,PROM,28,只读存储器(ROM)位线地A1字线3字线2字线1字线0111,可擦除的可编程的只读存储器,EPROM,EPROM 芯片顶部开有一个圆形的石英窗口，用于紫外线透过、以擦除芯片中保存的信息,使用专门的编程器（烧写器） 对EPROM芯片进行编程,编程后，应贴上不透光的封条,出厂时，每个基本存储单元存储的都是信息“1”，编程实际上就是将“0”写入某些基本存储单元,29,可擦除的可编程的只读存储器EPROMEPROM 芯片顶部开有,EPROM,的,存储结构,浮置栅雪崩注入型,场效应管,多晶硅,浮置栅,漏极,D,源极,S,- - -,N基底,SiO,2,SiO,2,+,字选线,位线,浮置栅场效应管,EPROM,基本存储结构,V,CC,P,P,30,EPROM的存储结构浮置栅雪崩注入型多晶硅漏极D源极S- -,EPROM芯片2716,存储容量为,2K8,24个,引脚：,11,根地址线,A,10,A,0,8,根数据线 DO,7,DO,0,片选/编程,CE,/PGM,读写,OE,编程电压 V,PP,功能表,V,DD,A,8,A,9,V,PP,-OE,A,10,CE,/PGM,O,7,O,6,O,5,O,4,O,3,1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,24,23,22,21,20,19,18,17,16,15,14,13,A,7,A,6,A,5,A,4,A,3,A,2,A,1,A,0,O,0,O,1,O,2,Vss,31,EPROM芯片2716存储容量为 2K8VDD124A73,EPROM 2716的功能,工作方式,-CE/PGM,-OE,V,CC,V,PP,DO,7,DO,0,待用,1,5V,5V,高阻,读出,0,0,5V,5V,输出,读出禁止,0,1,5V,5V,高阻,编程写入,正脉冲,1,5V,25V,输入,编程校验,0,0,5V,25V,输出,编程禁止,0,1,5V,25V,高阻,32,EPROM 2716的功能工作方式-CE/PGM-OEVCC,EPROM芯片2764,存储容量为,8K8,28个,引脚：,13,根地址线,A,12,A,0,8,根数据线 D,7,D,0,片选,CE,编程,PGM,读写,OE,编程电压 V,PP,功能表,Vpp,A,12,A,7,A,6,A,5,A,4,A,3,A,2,A,1,A,0,D,0,D,1,D,2,GND,Vcc,PGM,NC,A,8,A,9,A,11,OE,A,10,CE,D,7,D,6,D,5,D,4,D,3,1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14,28,27,26,25,24,23,22,21,20,19,18,17,16,15,33,EPROM芯片2764存储容量为 8K8VppVcc128,EPROM 2764的功能,工作方式,CE,OE,PGM,A,9,V,PP,DO,7,DO,0,读出,0,0,1,5V,输出,读出禁止,0,1,1,5V,高阻,待用,1,5V,高阻,Intel标识,0,0,12V,1,5V,输出编码,标准编程,0,1,负脉冲,25V,输入,Intel编程,0,1,负脉冲,25V,输入,编程校验,0,0,1,25V,输出,编程禁止,1,25V,高阻,34,EPROM 2764的功能工作方式CEOEPGMA9VPPD,EPROM芯片27256,1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,21,22,23,24,25,26,27,28,Vpp,A12,A7,A6,A5,A4,A3,A2,A1,A0,D0,D1,D2,GND,D3,D4,D5,D6,D7,CE,A10,OE,A11,A9,A8,A13,A14,Vcc,27256引脚图,A14,A13,A12,A11,A10,A9,A8,A7,A6,A5,A4,A3,A2,A1,A0,CE,OE,D7,D6,D5,D4,D3,D2,D1,D0,27256逻辑图,35,EPROM芯片27256123456789101112131,电可擦除的可编程序的ROM（EEPROM）,用加电方法，进行在线（无需拔下，直接在电路中）擦写（擦除和编程一次完成）,有字节擦写、块擦写和整片擦写等方法,并行EEPROM：多位数据线,串行EEPROM：1位数据线,36,电可擦除的可编程序的ROM（EEPROM）用加电方法，进行在,EEPROM芯片2817A,存储容量为,2K8,28个,引脚：,11,根地址线,A,10,A,0,8,根数据线 I/O,7,I/O,0,片选,CE,读写,OE,、,WE,状态输出 RDY/,BUSY,功能表,NC,A,12,A,7,A,6,A,5,A,4,A,3,A,2,A,1,A,0,I/O,0,I/O,1,I/O,2,GND,Vcc,WE,NC,A,8,A,9,NC,OE,A,10,CE,I/O,7,I/O,6,I/O,5,I/O,4,I/O,3,1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14,28,27,26,25,24,23,22,21,20,19,18,17,16,15,37,EEPROM芯片2817A存储容量为 2K8NCVcc12,EEPROM 2817A的功能,工作方式,CE,OE,WE,RDY/,BUSY,I/O,7,I/O,0,读出,维持,字节写入,0,1,0,0,1,1,0,高阻,高阻,0,输出,高阻,输入,38,EEPROM 2817A的功能工作方式CEOEWERDY/B,EEPROM芯片2864A,存储容量为,8K8,28个,引脚：,13,根地址线,A,12,A,0,8,根数据线 I/O,7,I/O,0,片选,CE,读写,OE,、,WE,功能表,Vcc,WE,NC,A,8,A,9,A,11,OE,A,10,CE,I/O,7,I/O,6,I/O,5,I/O,4,I/O,3,NC,A,12,A,7,A,6,A,5,A,4,A,3,A,2,A,1,A,0,I/O,0,I/O,1,I/O,2,GND,1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14,28,27,26,25,24,23,22,21,20,19,18,17,16,15,39,EEPROM芯片2864A存储容量为 8K8VccNC12,EEPROM 2864A的功能,工作方式,CE,OE,WE,I/O,7,I/O,0,读出,维持,写入,数据查询,0,1,0,0,0,1,0,1,负脉冲,1,输出,高阻,输入,输出,40,EEPROM 2864A的功能工作方式CEOEWEI/O7,6.4 存储器的连接,半导体存储器与CPU的连接是本章的,重点,SRAM、EPROM与CPU的连接,其,译码方法,同样适合I/O端口,41,6.4 存储器的连接半导体存储器与CPU的连接是本章的重点4,6.4.1 位扩充,若芯片的数据线正好,8,根：,一次可从芯片中访问到,8,位数据,全部数据线与系统的,8,位数据总线相连,若芯片的数据线不足,8,根：,一次不能从一个芯片中访问到,8,位数据,利用多个芯片扩充数据位（数据宽度）,这种扩充方式称“,位扩充,”,42,6.4.1 位扩充若芯片的数据线正好 8 根：42,位扩充,4K,4,A,11,A,0,D,3,D,0,片选,D,3,D,0,D,7,D,4,A,11,A,0,4K,4,A,11,A,0,D,7,D,4,CE,CE,两片同时选中,数据分别提供,读写,43,位扩充4K4A11A0D3D0片选D3D0D7D4,2. 字扩充,字扩充即存储容量的扩充，采用地址串联。,44,2. 字扩充字扩充即存储容量的扩充，采用地址串联。44,2,. 字扩充（地址扩充）,片选端,D,7,D,0,A,19,A,10,A,9,A,0,（2）,A,9,A,0,D,7,D,0,CE,（1）,A,9,A,0,D,7,D,0,CE,译码器,0000000001,0000000000,低位地址线,高位地址线,45,2. 字扩充（地址扩充）片选端D7D0A19A10A9,存储芯片地址线的连接,芯片的地址线通常应全部与系统的低位地址总线相连,寻址时，这部分地址的译码是在存储芯片内完成的，我们称为“,片内译码,”,46,存储芯片地址线的连接芯片的地址线通常应全部与系统的低位地址总,片内译码,地址线 A9A0,存储芯片,存储单元,47,片内译码地址线 A9A0存储芯片存储单元47,片内译码,000H,001H,002H,3FDH,3FEH,3FFH,0000,0001,0010,1101,1110,1111,（16进制表示）,A,9,A,0,片内,10,位地址译码,10 位地址的变化：,全0全1,48,片内译码000H0000（16进制表示）A9A0片内10,6.4.2 存储器与CPU的连接,存储芯片,数据线,的处理,存储芯片,地址线,的处理,存储芯片,片选端,的处理,存储芯片,读写控制线,的处理,49,6.4.2 存储器与CPU的连接存储芯片数据线的处理49,存储芯片片选端的译码,存储系统常需要利用多个存储芯片进行容量的扩充，也就是扩充存储器的地址范围,这种扩充简称为“,地址扩充,”或“,字扩充,”,进行“地址扩充”时，需要利用存储芯片的片选端来对,存储芯片（芯片组）,进行寻址,通过存储芯片的,片选端,与系统的,高位地址线,相关联来实现对存储芯片,（芯片组）,的寻址，常用的方法有：,全译码,全部,高位地址线,与,片选端,关联（参与芯片译码）,部分译码,部分,高位地址线,与,片选端,关联（参与芯片译码）,线选法,某根,高位地址线,与,片选端,关联（参与芯片译码）,片选端常有效,无,高位地址线,与,片选端,关联（不参与芯片译码）,50,存储芯片片选端的译码存储系统常需要利用多个存储芯片进行容量,片选端常有效,A,19,A,15,A,14,A,0, ,全0全1,D,7,D,0,27256,EPROM,A,14,A,0,CE,片选端常有效,与,A,19,A,15,无关,51,片选端常有效A19A15 A14A0D7D02725,译码和译码器,译码,：将某个特定的“,编码输入,”翻译为,唯一,一个“,有效输出,”的过程,译码器件：,采用,门电路组合逻辑,进行译码,采用,集成译码器,进行译码，常用的器件有：,2-4 （4 选 1）译码器74LS139,3-8 （8 选 1）译码器74LS138,4-16 （16 选 1）译码器74LS154,对芯片的寻址方法：,全译码,所有,系统高位地址线参与对芯片的寻址,部分译码,部分,系统高位地址线参与对芯片的寻址,线选译码,用 1 根,系统的高位地址线选中芯片,片选端常有效,无,系统的高位地址线据参与对芯片的寻址,52,译码和译码器译码：将某个特定的“编码输入”翻译为唯一一个“,译码器74LS138,1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14,15,16,A,B,C,E1,E2,E3,Y7,GND,Y6,Y5,Y4,Y3,Y2,Y1,Y0,Vcc,74LS138引脚图,Y0,Y1,Y2,Y3,Y4,Y5,Y6,Y7,E3,E2,E1,C,B,A,74LS138原理图,示例,53,译码器74LS13812345678910111213141,74LS138连接示例,E,3,E,2,E,1,C,B,A,Y,0,Y,1,Y,2,Y,3,Y,4,Y,5,Y,6,Y,7,74LS138,5V,A,19,A,18,A,17,A,16,A,15,若,A,19,A,18,A,17,A,16,A,15,输入 “,00101,”，哪个输出端有效？,若,A,19,A,18,A,17,A,16,A,15,输入 “,10101,”，哪个输出端有效？,54,74LS138连接示例Y074LS1385V若A19A18,全译码,所有的系统地址线均参与对存储单元的译码寻址,包括低位地址线对芯片内各存储单元的译码寻址（片内译码），高位地址线对存储芯片的译码寻址（片选译码）,采用全译码，,每个存储单元的地址都是唯一的,，不存在地址重复,译码电路可能比较复杂、连线也较多,示例,55,全译码所有的系统地址线均参与对存储单元的译码寻址55,全译码示例,A,19,A,18,A,17,A,15,A,14,A,13,A,16,C,B,A,E3,138,A,12,A,0,CE,Y6,E2,E1,IO/,M,2764,请看地址分析,56,全译码示例A19A15A16CE3138 A12A0CEY,1C000H,1DFFFH,全0,全1,0 0 0 1 1 1 0,0 0 0 1 1 1 0,地址范围,A,12,A,0,A,19,A,18,A,17,A,16,A,15,A,14,A,13,全译码示例地址分析,57,1C000H全00 0 0 1 1 1,部分译码,只有部分（高位）地址线参与对存储芯片的译码,每个存储单元将对应多个地址,（地址重复），需要选取一个可用地址,可简化译码电路的设计,但系统的部分地址空间将被浪费,示例,58,部分译码只有部分（高位）地址线参与对存储芯片的译码58,部分译码示例,138,A,17,A,16,A,11,A,0,A,14,A,13,A,12,(4),(3),(2),(1),2732,2732,2732,2732,C,B,A,E3,E2,E1,IO/,M,CE,CE,CE,CE,Y0,Y1,Y2,Y3,请看地址分析,59,部分译码示例138A17 A11A0A14 (4)(3)(,部分译码示例地址分析,1,2,3,4,芯片,10,10,10,10,A,19,A,15,20000H20FFFH,21000H21FFFH,22000H22FFFH,23000H23FFFH,全0全1,全0全1,全0全1,全0全1,000,001,010,011,一个可用地址,A,11,A,0,A,14,A,12,60,部分译码示例地址分析1芯片10A19 A1520,线选译码,只用少数几根高位地址线进行芯片的译码，且每根负责选中一个芯片（组）,虽构成简单，但地址空间严重浪费,必然会出现地址重复,一个存储地址会对应多个存储单元,多个存储单元共用的存储地址不应使用,示例,61,线选译码只用少数几根高位地址线进行芯片的译码，且每根负责选中,线选译码示例,A,14,A,12,A,0,A,13,(1),2764,(2),2764,CE,CE,请看地址分析,62,线选译码示例A14A12A0A13(1)2764(2)27,线选译码示例地址分析,1,2,芯片,A,19,A,15,04000H05FFFH,02000H03FFFH,全0全1,全0全1,1 0,0 1,一个可用地址,A,12,A,0,A,14,A,13,切记：,A,14,A,13,“00”,的情况不能出现，,此时,00000H01FFFH,的地址将不能使用,63,线选译码示例地址分析1芯片A19 A1504,片选端译码小结,存储芯片的片选控制端可以被看作是一根最高位地址线,在系统中，主要与地址发生联系：包括,地址空间的选择,（接系统的,IO/-M,信号）和,高位地址的译码选择,（与系统的高位地址线相关联）,对一些存储芯片通过片选无效可关闭内部的输出驱动机制，起到降低功耗的作用,64,片选端译码小结存储芯片的片选控制端可以被看作是一根最高位地址,4. 存储芯片的读写控制,芯片,OE,与系统的读命令线相连,当芯片被选中、且读命令有效时，存储芯片将开放并驱动数据到总线,芯片,WE,与系统的写命令线相连,当芯片被选中、且写命令有效时，允许总线数据写入存储芯片,65,4. 存储芯片的读写控制芯片OE与系统的读命令线相连65,综合举例,一个综合性例子(最大组态),-CS1,A,12,OE,CS2,6264,A,11,A,0,WE,138,C,B,A,Y0,Y1,Y2,E3,E2,E3,+5V,A,17,A,16,A,11,A,0,D,7,D,0,A,12,A,15,A,14,A,13,MEMR,MEMW,+5V,CS2,CS1,A,12,OE,D,7,D,0,D,7,D,0,6264,A,11,A,0,WE,CE,OE,2732,A,11,A,0,D,7,D,0,CE,OE,2732,A,11,A,0,D,7,D,0,请进行地址分析,66,综合举例一个综合性例子(最大组态) -CS1 A12,综合举例地址分析,0 0 0,0 0 1,0 1 0,0 1 0,A,15, A,13,00000H01FFFH,02000H03FFFH,04000H04FFFH,05000H05FFFH,一个可用地址,XX 00,XX 00,XX 00,XX 00,A,19,A,16,6264-1,6264-2,2732-1,2732-2,芯片,全0全1,全0全1,A,12,A,11,A,0,全0全1,全0全1,0,1,8选1译码,2选1译码,通过与门组合,这2个译码输出信号,67,综合举例地址分析0 0 0A15 A130000,6.4.3 存储器与CPU连接应注意的问题,1. CPU总线的负载能力。CPU外部总线的负载能力可带一个标准TTL负载，连接的存储器芯片较多时，应增加总线驱动能力，常用缓冲器或总线驱动器。,2. 各种信号的配合与连接。,数据线:存储器芯片的数据入、出线分开的芯片需在加三态门,才和DB连接.,地址线:对动态RAM，在CPU和存储器之间加多路开关，将地址的行列（高位与低位）分别送存储器。,控制线：需注意电平的配合。,3.CPU的时序与存储器速度配合。,4. 存储器的地址分配及片选信号的产生。,68,6.4.3 存储器与CPU连接应注意的问题1. CPU总线的,第6章教学要求,1.,掌握半导体存储器的分类，了解应用特点；,2.,熟悉半导体存储器芯片的结构；,3.,了解,SRAM,6116、,DRAM,2116、,EPROM,2716、,EEPROM,2817A的引脚功能；,4.,理解SRAM读写原理、DRAM读写和刷新原理、EPROM和EEPROM工作方式,5.,掌握存储芯片与CPU连接的方法，特别是片选端的处理,；,6.,了解存储芯片与CPU连接的总线驱动和时序配合问题。,7. 本章6.5 6.6 6.7为常识，自学,69,第6章教学要求1. 掌握半导体存储器的分类，了解应用特点；,