Click to Edit Master Title Style,*,Click to Edit Master Text Styles,Second Level,Third Level,Fourth Level,Fifth Level,二次电源常用器件介绍,二次电源开发部 王丽,二次电源常用器件,二次电源常用,IC,二次电源常用,MOSFET,二次电源常用二极管,二次电源常用三极管,二次电源常用电容,二次电源常用电阻,二次电源器件选型指导,二次电源常用器件,一、二次电源常用电路图（典型单端正激电路）,输入,MOS,管和拓扑有关：,1、全桥，半桥，正反激：,100V,2、,有源钳位：150,V,3、,谐振复位：200,V,主控制芯片和拓扑有关：,1、全桥，半桥，正反激：,UCC2808,2、,有源钳位：,LM5025,3、,谐振复位：,MIC38C43,输出,MOS,管和输出电压有关：,1、1.2,V3.3V：30V,2、5V：,30,V,或40,V,3、,12,V：80V,或100,V,4、15V,以上：200,V,或二极管,二次电源常用器件,二、二次电源料本构成（以,AVE150-48S03,为例）,二次电源常用器件,二次电源常用,IC,二次电源常用,MOSFET,二次电源常用二极管,二次电源常用三极管,二次电源常用电容,二次电源常用电阻,二次电源器件选型指导,二次电源常用,IC,介绍,一、,PWM,控制芯片(隔离模块,),1、39110096,PWM,控制芯片-3843-,PWM,控制芯片-可调整-,SO8,2、39110302 PWM,控制器-,ISL6843-,电流型-单端输出-,SO8-,有铅工艺-,BiCMOS,工艺,3、39110189 PWM,控制芯片-38,C43-PWM,控制芯片-可调整-,SOIC8,4、39110309 PWM,控制器-,LM5025A-,电压型-有源嵌位输出-,TSSOP16,5、39110314,PWM,控制器-,LM5034-,电流型-双路有源嵌位输出-,TSSOP20-ROHS-,多功能集成,二次电源常用,IC,介绍,一、,PWM,控制芯片(非隔离模块,),6、39110225,PWM,控制芯片-,SP6120EY-,同步,BUCK,型控制器-,TSSOP16（,注：,AVN20B,降压系列使用）,7、39110246,PWM,控制芯片-,MIC2185BM-,同步,BOOST,型控制器-,SOIC16（,注：,AVN20B,升压使用）,二次电源,PWM,芯片选用发展趋势：高速、低功耗；功能强大,集成度更高，尽量减少模块外围器件数量，提高电源的功率,密度。为了实现向外部通讯等功能，也有向数字化方向发展的,趋势。,二次电源常用,IC,介绍,二、基准,.1.24,V,基准系列,1.39110272 电压基准源-,AZ431L-,分流可调型-1.24,V-0.5%-SOT-23-18Vmax-0.1mAmin,2.39110252,电压基准源-,HA17L431A-,可调基准-1.24,V-1%-16Vmax-1mAmin-SOT23-5,3.39110217,电压基准源-,LM4041-,固定基准-1.225,V-0.5%-SOT-23,4.39110154,电压基准源-,HA17L431-,可调基准-1.24,V-1.5%-SOT-89 （MD）,二次电源常用,IC,介绍,二、基准,.2.5,V,基准系列,1、39110268 电压基准源-,HA17431H-,分流可调型-2.5,V-1%-SOT-23-36Vmax-1mAmin,2、39110224 电压基准源-,SPX2431-,可调基准-2.5,V-1%-SOT-23,3、39110251,电压基准源-,SPX431B-,可调基准-2.5,V-1%-37Vmax-1mAmin-SOT-89,4、39110097,电压基准源-,HA17431-,可调基准-2.5,V-3%-SOT-89 (MD),二次电源基准选用发展趋势：高精度、小封装、低功耗。,二次电源常用,IC,介绍,三、运放,1、39080072 运算放大器-,LM2904DGKR-,双-通用运放-7,2、39080058 运算放大器-,TS321I-,单运放-,SOT23-5,3、39080026,运算放大器-,MC33172D-,低功率单电源双运算放大器-,SO-8,4、39080011,运放-,LM358-,低噪声双运放-,SOIC8(Tape),5、39080003,运算放大器-,LM324D-,四运放-,SOP14,二次电源运放选用发展趋势：低功耗、小封装，随着开关电,源频率的增大，要求运放响应速率快和频带宽。,二次电源常用,IC,介绍,四、光耦,1、39100025 光耦-单路-三极管输出无基极-,CTR100300-tp2/3S-3750Vac-SOP4,2、39100056,光耦-双路-三极管输出无基极-,CTR100200-tp5/4uS-2500Vac-SOP8,3、39100068 光耦-,PS2801-,单路-三极管输出无基极-,CTR150300-tp3S-tp5S-2500-HSO4-UL-,无,二次电源光耦选用趋势：,响应速度快、小封装，为了设计方便，尽量减少光耦的光电,传输比的范围。,二次电源常用,IC,介绍,五、,IC,常用封装知识,SOP-16,SOT-89,TSSOP-20,SOP-8,TSOP6,SOT-23,SC-70,SOT-23-5,Micro8,Time,1995,2000,2005,二次电源常用,IC,介绍,六、,IC,解剖内部,（以,MIC38C43,为例）,输出,P MOS,输出,N MOS,二次电源常用器件,二次电源常用,IC,二次电源常用,MOSFET,二次电源常用二极管,二次电源常用三极管,二次电源常用电容,二次电源常用电阻,二次电源器件选型指导,二次电源常用,MOSFET,介绍,一、原边,MOS,管介绍,1、15060175 绝缘栅场效应管-,N,沟道-150,V-6.7A-0.050-20V-PowerPAK SO-8-ROHS,2、15060088 场效应管-200,V/18A/0.15/20V/D2PAK,3、15060045,场效应管-200,V/7A/0.40/30V/TO-252(DPAK),4、15060116,场效应管-200,V/20A/130m/20V/DPAK,5、15060146,绝缘栅场效应管-,N,沟道-200,V-4ATc=25-0.065typ.Vgs=10V-20V-SO-8,二次电源,MOSFET,的选用趋势：,1、低的导通电阻,R(vds)on,和栅极电荷,Qg,综合考虑两者的影响。,2、小封装，散热效果好，低功耗，高可靠性。,二次电源常用,MOSFET,介绍,二、副边,MOS,管介绍,1、15060184 绝缘栅场效应管-,N,沟道-30,V-50A-2.2m-20V-P-TDSON-8,2、15060177 绝缘栅场效应管-,N,沟道-30,V-40A-4.2 m-20V-WPAK,3、15060105,场效应管/30,V/140A/6m/16V-D2PAK,4、15060114,场效应管/30,V/13A/8m/20V/SO-8,5、15060122,场效应管-30,V-15A-4m-20V-SO-8,6、15060128,场效应管/30,V/13A/8.5m/25V/SO-8,二次电源常用,MOSFET,介绍,三、,MOS,管封装介绍,D2PAK,DPAK,SO-8,LFPAK,SMB,SMA,SOT-89,SOT-23,SC75,Time,PowerPAK,Top,Bottom,1995,2000,2005,二次电源常用,IC,介绍,六、,MOSFET,解剖内部图,（,以,AVQ100,中,PSMN130-200D,为例,）,二次电源常用器件,二次电源常用,IC,二次电源常用,MOSFET,二次电源常用二极管,二次电源常用三极管,二次电源常用电容,二次电源常用电阻,二次电源器件选型指导,二次电源常用二极管介绍,一、功率二级管,1.15010217,肖特基二极管-100,V-2*6A-0.65V-DPAK,2.15010185,肖特基二极管-35,V/25A/0.55V-D2PAK,3.15010183,肖特基二极管-100,V/2*10A/0.64V-D2PAK,4.15010182,二极管-35,V/2*5A/0.41V/125-DPAK,二次电源功率二极管的选用趋势：,1、由于二次电源输出电压不断下降，目前多使用同步整流技术，功率二极管的使用多出现在一些高压输出的产品中，所以应用范围较窄。,2、小封装，散热效果好，通态压降低。,二次电源常用二极管介绍,二、信号二极管,1、15010231 开关二极管-70,V/0.2A/4nS/SOT323/,共阴-,ROHS,2、15010151 开关二极管-200,V/2*125mA/1.00V/50ns/,并联-,SOT143,3、15010040 开关二极管/70,V/0.2A/6ns/,共阳/,SOT-23,4、15010041 开关二极管-70,V/0.2A/6nS/SOT-23/,共阴,5、15010042 开关二极管/70,V/0.2A/4ns/SOT-23,二次电源二极管和三极管的选用趋势：,1、此类器件不断地向高性能方向发展，包括大电流，低损耗，高增益，宽频率响应，低热阻。,2、由小封装向微封装方向过渡。,二次电源常用三极管介绍,一、信号三极管,1.15050026,NPN,三极管-40,V/0.6A/350mW/SOT-23,2.15050072 PNP,三极管/40,V/600mA/0.35W/SOT-23,3.15050099 NPN,三极管/20,V/2.5A/625mW/SOT-23(MD),4.15050100 PNP,三极管/20,V/1.5A/625mW/SOT-23(MD),5.15050142 NPN,三极管/40,V/1A/300mW/SOT23,6.15050144 PNP,三极管/40,V/1A/300mW/SOT23,7.15050098 NPN,三极管/80,V/1A/1W/SOT-89,8.15050141 PNP,三极管/80,V/1A/1W/SOT-89,二次电源常用器件,二次电源常用,IC,二次电源常用,MOSFET,二次电源常用二极管,二次电源常用三极管,二次电源常用电容,二次电源常用电阻,二次电源器件选型指导,二次电源常用电容介绍,一、瓷片电容,I,高压电容：用于隔离和输入,1、08070439 片状电容器-2,KV-1000pF20%-X7R-1206-,高压电容,2、08070437 片状电容器-2,KV-3300pF10%-X7R-1812-,高压电容,3、08070580 片状陶瓷电容器-100,V-1u-10%-X7R-1210-,4、08070438 片状电容-100,V-0.68uF10%-X7R-1812,5、08070511,片状陶瓷电容器,-100,V-0.47uF-10%-X7R-1210-ROHS,二次电源电容发展趋势：,高压电容方面，目前我司正在逐步淘汰大尺寸瓷片电容如1812，向小尺寸如1210、1206转移，原因是1812电容在成本和质量两方面都存在问题。,二次电源常用电容介绍,一、瓷片电容,II,低压电容：用于输出滤波,1、08070584 片状陶瓷电容器-25,V-10uF-10%-X7R-1210-ROHS,2、08070422 片状电容器-25,V-10F10%-X5R-1812-ROHS,3、08070590 片状陶瓷电容器-16,V-10uF-10%-X7R-1210-ROHS,4、08070613 片状陶瓷电容器-10,V-22uF-20%-X7R-1210-ROHS-,5、08070585,片状陶瓷电