你的标题,在此键入你的内容,一级标题,二级标题,三级标题,四级标题,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,姓名：,学号：,只读存储器,ROM,1,重点：用,ROM,实现组合逻辑函数,难点：用,ROM,实现组合逻辑函数的阵列图画法,教学重点与难点,2,了解二极管、晶体管,ROM,的基本结构和存储单元结构；会用,ROM,实现组合逻辑函数。,教学要求,3,1,概述,半导体存储器是一种能存储大量二值信息的半导体器件。,按存储功能分,只读存储器（,ROM,）,随机存储器（,RAM,）,按制造工艺分,双极性,MOS,型,4,2,只读存储器（,ROM,),优点,：,电路结构简单，断电后数据不丢失，具有非易失性。,缺点,：,只适用于存储固定数据的场合。,Read Only Memory,电路结构,5,只读存储器分类：,掩膜,ROM,：,出厂后内部存储的数据不能改动，,只 能读出,。,6,PROM：,PROM指的是“,可编程,只读存储器”既Programmable Red-Only Memory。这样的产品,只写入一次,，所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。,7,EPROM：,EPROM：“可擦写可编程只读存储器”，即Erasable Programmable Read-Only Memory。它的特点是具有可擦除功能，,用紫外线擦除，擦除和编程时间较慢，次数也不宜多。,8,EEPROM：,EEPROM指的是“电可擦除可编程只读存储器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。,电信号擦除，擦除和写入时需要加高电压脉冲，擦、写时间仍较长。,9,快闪存储器(Flash Memory)：,吸收了EPROM结构简单，编程可靠的优点，又保留了E2PROM用隧道效应擦除的快捷特性，集成度可作得很高。,10,3 ROM的结构和工作原理,图中地址译码器有,n,个输入，它的输出,W,0,、,W,1,、,、,W,n,-,1,共有,N,=2,n,个，称为,字线,(,或称选择线,),。字线是,ROM,矩阵的输入，,ROM,矩阵有,M,条输出线，称为,位线,。,字线,与,位线的交点，即是,ROM,矩阵的,存储单元,，存储单元代表了,ROM,矩阵的容量，所以,ROM,矩阵的容量等于,W,D,。输出缓冲器的作用有两个，一是,能提高存储器的带负载能力，,二是实现对输出状态的三,态控制，以便与系统的总线联接。,11,ROM,矩阵的存储单元是由,N,沟道增强型,MOS,管构成的，,MOS,管采用了简化画法。它具有,2,位地址输入码，即：,4,条字线,W,0,、,W,1,、,W,2,、,W,3,；有,4,位数据输出，即,4,条位,线,D,0,、,D,1,、,D,2,、,D,3,；共,16,个存储单元。,ROM,矩阵字线和位线的关系,(a)ROM,存储矩阵,(b)ROM,矩阵中一条字线的分解图,12,地址译码器相当于最小项译码器，如下图所示,其输入,A,1,、,A,0,称为,地址线,。二位地址代码,A,1,A,0,能给出4个不同的地址。每输入一个地址，地址译码器的字线输出,W,0,W,3,中将有一根线为高电平，其余为低电平。即每一个输出对应一个最小项。,W,2,地,址,译,码,器,A,0,A,1,W,0,W,1,W,3,最小项译码器,13,4,用存储器实现组合逻辑函数,例题：,试用ROM产生如下一组多输出逻辑函数,14,解：,化为最小项之和的形式：,15,16,Thank you。,17,