单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,*,*,简单NMOS和CMOS器件平面工艺,简单NMOS和CMOS器件平面工艺,1,复习：,工艺流程图,晶片准备,平面工艺,封装测试,复习：工艺流程图晶片准备平面工艺封装测试,2,硅片的类型标志,P(100),P(111),N(111),N(100),硅片的类型标志P(100)P(111)N(111)N(100,3,微电子制造工艺,的主要内容,衬底制备,单晶生长,；,晶片的切、磨、抛,；,薄膜技术,氧化、外延、蒸发；,掺杂技术,扩散、离子注入；,图形加工,制版、光刻（曝光、腐蚀）,热处理,退火、烧结、去除光刻胶,微电子制造工艺的主要内容衬底制备单晶生长；晶片的切、磨、抛,4,简单NMOS和CMOS器件平面工艺,简单NMOS和CMOS器件平面工艺,5,Simple NMOS Technology,N channel,4-mask,1 metal layer,Simple NMOS TechnologyN channe,6,单晶硅,掩膜版,单晶硅掩膜版,7,第五讲IC工艺流程课件,8,Note!,Note!,9,第五讲IC工艺流程课件,10,0.55:0.45,0.55:0.45,11,第五讲IC工艺流程课件,12,第五讲IC工艺流程课件,13,第五讲IC工艺流程课件,14,第五讲IC工艺流程课件,15,第五讲IC工艺流程课件,16,第五讲IC工艺流程课件,17,note self alignment,note self alignment,18,第五讲IC工艺流程课件,19,?,?,20,第五讲IC工艺流程课件,21,第五讲IC工艺流程课件,22,第五讲IC工艺流程课件,23,第五讲IC工艺流程课件,24,Simple CMOS Technology,4-Metal 1,2-Polysilicon,3-Diffusions,1,-,Tub(N-well),Simple CMOS Technology4-Meta,25,CMOS Inverter,cut line,CMOS Invertercut line,26,N-well Mask,N-well Mask,27,Active Mask,Active Mask,28,Poly Mask,Poly Mask,29,N+Select Mask,N+Select Mask,30,P+Select Mask,P+Select Mask,31,Contact Mask,Contact Mask,32,Metal Mask,Metal Mask,33,Other Cutaway Views,SiO,2,剖面图,Other Cutaway ViewsSiO2剖面图,34,第五讲IC工艺流程课件,35,ULSI,技术中较为典型的双阱,CMOS,工艺制造的,CMOS,集成电路的一部分,标准埋层双极集成电路工艺制造的集成电路的一部分,外延、氧化、扩散、离子注入、气相淀积、光刻腐蚀以及金属化等工艺,总结一下：,ULSI技术中较为典型的双阱CMOS工艺制造的CM,36,现代工艺概要,现代工艺概要,37,双阱工艺,氮化物,双阱工艺氮化物,38,隔离槽技术,STI（,shallow trench isolation）,USG：,外层二氧化硅，防止吸潮，抗氧化,氧化物平坦化,槽刻蚀,氧化物填充,隔离槽技术STI（shallow trench isolat,39,SOI工艺,埋层SiO,2,SOI工艺埋层SiO2,40,多层技术化及焊球制备,SOD：旋凃绝缘介质,多层技术化及焊球制备SOD：旋凃绝缘介质,41,多芯片模组技术,MCM,多芯片模组技术MCM,42,当前热点,SoC-System on a Chip 系统芯片技术,MEMS-MicroElectroMechanical System,微电子机械系统技术,NoCNetwork on a Chip 网络芯片技术,当前热点SoC-System on a Chip 系统芯片技,43,